サムスン、4F² DRAM メモリセル構造技術の開発に特化した専門チームを結成

5 月 26 日のニュース、韓国メディア The Elec によると、サムスンは最近 4F² と呼ばれる製品の開発に特化した専門チームを設立しました。 DRAMのメモリセル構造の革新的な技術。このテクノロジーにより、プロセス ノードを変更せずにチップ面積を最大 30% 削減できます。

過去 10 年にわたり、DRAM 業界は 4F の商品化を試みてきました。 角型ユニット構造技術だが成功には至らなかった。しかし、サムスンが今回結成した専門チームは、これまでの問題を克服し、4F²構造の研究開発を推進することに努めている。

編集者の理解によれば、4F² DRAM メモリセル構造の設計は、トランジスタによって形成されるソース (S)、ゲート (G)、ドレイン (D) のシステム全体に基づいています。ドレイン(D)上には電荷を蓄積するためのコンデンサが設けられ、横方向に配置されたWL線と縦方向に配置されたBL線にトランジスタが接続されている。このうち、WL線はゲート(G)に接続されトランジスタのスイッチング制御を担当し、BL線はソース(S)に接続されデータの読み書きを担当します。

# 4F² テクノロジーの最大の利点は、高度に統合され、チップ スペースを節約できることです。この技術は、既存の 6F² レベルと比較して、プロセスノードを変更することなくチップ面積を最大 30% 削減できます。これは、チップのパフォーマンスを向上させ、メモリの大容量化を実現し、成長する市場の需要に応えるために非常に重要です。

サムスンのプロフェッショナルチームは、4F²の加速に向けて引き続き努力していきます DRAMのメモリセル構造の開発プロセス。この技術が商品化に成功すると、DRAM 業界に革命的なブレークスルーをもたらし、メモリ技術の開発を新たなレベルに押し上げることが期待されます。今後もこの分野の最新動向に注目していきます。

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