SK 海力士创新的半导体CMP抛光垫技术实现了可持续利用

本站 6 月 24 日消息，韩媒 BusinessKorea 报道，业内人士透露 SK 海力士在 6 月 16 至 20 日在美国夏威夷举行的 VLSI 2024 峰会上发表了有关 3D DRAM 技术的最新研究论文。在这篇论文中，SK 海力士报告其五层堆叠的 3D DRAM 内存良率已达 56.1%，实验中的 3D DRAM 展现出与目前 2D DRAM 相似的特性。据介绍，与传统的 DRAM 水平排列内存单元不同，3D DRAM 垂直堆叠单元，可以在相同空间内实现更高的密度。不过，SK海力士

本站4月17日消息，集邦咨询（TrendForce）近日发布报告，认为英伟达Blackwell新平台产品需求看涨，预估带动台积电2024年CoWoS封装总产能提升逾150%。英伟达Blackwell新平台产品包括B系列的GPU，以及整合英伟达自家GraceArmCPU的GB200加速卡等。集邦咨询确认为供应链当前非常看好GB200，预估2025年出货量有望超过百万片，在英伟达高端GPU中的占比达到40-50%。在英伟达计划下半年交付GB200以及B100等产品，但上游晶圆封装方面须进一步采用更复

本站8月6日消息，群创光电（InnoluxCorporation）总经理杨柱祥昨日（8月5日）表示，公司正积极布局和推进半导体扇出型面板级封装（FOPLP），有望今年年底前量产ChipFirst制程技术，对营收的贡献将于明年第1季度显现。fenye群创光电表示未来1-2年内有望量产针对中高端产品的重布线层（RDLFirst）制程工艺，并和合作伙伴一起研发技术难度最高的玻璃钻孔（TGV）制程，还需要2-3年才能投入量产。杨柱祥表示群创的FOPLP技术已“准备好量产了”，会从中低端产品入局，未来再逐

本站3月20日消息，SK海力士近日出席英伟达GTC2024大会，展示了面向消费级市场的首款Gen5NVMe固态硬盘系列--PlatinumP51M.22280NVMeSSD。PlatinumP51和GoldP31、PlatinumP41类似，采用自家设计的SSD主控，不过主要亮点采用使用PCIeGen5以及238层的TLCNAND闪存。本站注：海力士于2012年收购了SSD主控厂商LAMD，让其具有一定的能力去自行设计主控。SK海力士在展台上表示PlatinumP51会推出500GB、1TB和2

本站8月1日消息，SK海力士今天（8月1日）发布博文，宣布将出席8月6日至8日，在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的全球半导体存储器峰会FMS2024，展示诸多新一代产品。未来存储器和存储峰会（FutureMemoryandStorage）简介前身是主要面向NAND供应商的闪存峰会（FlashMemorySummit），在人工智能技术日益受到关注的背景下，今年重新命名为未来存储器和存储峰会（FutureMemoryandStorage），以邀请DRAM和存储供应商等更多参与者。新产品SK海力士去年在

本站12月27日消息，根据韩媒ETNews报道，SK海力士近日研发出了可重复使用的CMP抛光垫技术，不仅可以降低成本，而且可以增强ESG（环境、社会、治理）管理。SK海力士表示，他们将首先在低风险工艺中部署可重复使用的CMP抛光垫，并逐步扩大其应用范围本站注：CMP技术是使被抛光材料在化学和机械的共同作用下，材料表面达到所要求的平整度的一个工艺过程。抛光液中的化学成分与材料表面进行化学反应，形成易抛光的软化层，抛光垫和抛光液中的研磨颗粒对材料表面进行物理机械抛光将软化层除去。图源：鼎龙股份在CM

本站10月31日消息，根据《经济日报》从产业内人士处获悉，先锋国际半导体/世界先进（VIS）目前正和友达新加坡工厂展开洽谈，收购后者所持有的土地和设备，用于建设首座12英寸晶圆厂。图源：友达官网先锋国际半导体计划投资20亿美元（约合人民币146.4亿元）生产芯片，主要用于汽车领域据报道，先锋国际半导体将于11月7日召开相关会议。而友达计划于10月31日召开相关会议，两家公司目前尚未就相关传闻发表官方评论报告称友达计划逐步回撤，在新加坡的发展重心从制造转向建立区域服务中心。这家新加坡工厂是在201

本站7月8日消息，综合日经、日本“时事通信社”报道，当地时间8（今）日，索尼集团旗下半导体制造商索尼半导体制造公司宣布，该公司出现有害化学物质排放至工厂外部，且未进行通报的情况。该公司称，这是由于：输入工作失误确认系统不完善造成的。在2021和2022财年，位于熊本县菊阳町的相机图像传感器工厂将其化学物质的排放量错误地报告为0，实际情况则是存在“未经无害化处理的废弃物”的排放。该厂排放物质为氟化氢，常用于半导体的加工和清洗。本站注：氟化氢对人体有害，吸入后会导致呼吸系统疾病，甚至危及生命。索尼半