Samsung membentuk pasukan profesional yang berdedikasi untuk membangunkan teknologi struktur sel memori DRAM 4F²

Menurut berita pada 26 Mei, menurut media Korea The Elec, Samsung baru-baru ini telah menubuhkan pasukan profesional yang berdedikasi untuk membangunkan produk yang dipanggil 4F² Teknologi inovatif struktur sel memori DRAM. Teknologi ini boleh mengurangkan kawasan cip sehingga 30% tanpa mengubah nod proses.

Sejak dekad yang lalu, industri DRAM telah cuba untuk mengkomersialkan 4F Teknologi struktur unit persegi, tetapi gagal mencapai kejayaan. Walau bagaimanapun, pasukan profesional yang dibentuk oleh Samsung kali ini berusaha untuk mengatasi masalah sebelum ini dan mempromosikan penyelidikan dan pembangunan struktur 4F².

Setakat yang editor faham, 4F² Reka bentuk struktur sel memori DRAM adalah berdasarkan keseluruhan sistem sumber (S), get (G) dan longkang (D) yang dibentuk oleh transistor. Kapasitor untuk menyimpan cas dipasang di atas longkang (D), dan transistor disambungkan ke garisan WL yang disusun secara mendatar dan garisan BL yang disusun secara menegak. Antaranya, talian WL disambungkan ke get (G) dan bertanggungjawab untuk mengawal pensuisan transistor manakala talian BL disambungkan ke sumber (S) dan bertanggungjawab untuk membaca dan menulis data.

Kelebihan terbesar teknologi 4F² ialah tahap penyepaduan dan keupayaannya yang tinggi untuk menjimatkan ruang cip. Berbanding dengan tahap 6F² sedia ada, teknologi ini boleh mengurangkan kawasan cip sehingga 30% tanpa mengubah nod proses. Ini sangat penting untuk meningkatkan prestasi cip, mencapai memori kapasiti yang lebih tinggi, dan memenuhi permintaan pasaran yang semakin meningkat.

Pasukan profesional Samsung akan terus bekerja keras untuk mempercepatkan 4F² Proses pembangunan struktur sel memori DRAM. Setelah berjaya dikomersialkan, teknologi ini dijangka membawa penemuan revolusioner kepada industri DRAM dan mendorong pembangunan teknologi memori ke tahap yang baharu. Kami akan terus memberi perhatian kepada perkembangan terkini dalam bidang ini.

Atas ialah kandungan terperinci Samsung membentuk pasukan profesional yang berdedikasi untuk membangunkan teknologi struktur sel memori DRAM 4F². Untuk maklumat lanjut, sila ikut artikel berkaitan lain di laman web China PHP!