1nmプロセスを急ぐ、日本のラピダス、東京大学、フランスの研究機関が協力して最先端の半導体を開発

『日本経済新聞』の報道によると、日本のチップメーカーRapidusと東京大学はフランスの半導体研究機関Letiと協力し、回路線幅1ナノメートルレベルの次世代半導体設計の基礎技術を共同開発する

報道によると、両国は来年から人事交流と技術共有を開始する予定 フランスの研究機関Letiはチップ部品の専門知識を提供し、1nm製品を供給するインフラを構築する

両者の目標は、線幅1.4nm～1nmの半導体の設計・開発に必要な基礎技術を確立することです。 1nm製品の製造には従来とは異なるトランジスタ構造が必要であり、Letiはこの分野の成膜などのキー技術で高い能力を持っています。

2nm と比較して、1nm テクノロジーはコンピューティングのパフォーマンスと効率を 10 ～ 20% 向上させることができます。 RapidusはIBMおよびベルギーの研究開発グループImecと提携し、2027年までに2nmチップの量産という目標を達成し、早ければ2030年代には1nm半導体が主流になると予想されている。同時にIBMは1nm分野でRapidusとの協力も検討している。

このサイトの以前のレポートによると、オランダの大手半導体製造装置メーカーである ASML は、2024 年後半までに日本の北海道に新しい技術サポート拠点を建設する予定です。ラピダス社は最先端の半導体の量産化を目指しており、ASMLはラピダス社に工場建設や保守点検を支援し、2028年頃までに国内要員を40%増員する予定です。

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