vcsel一般指垂直腔面发射激光器，是一种半导体，其激光垂直于顶面射出，与一般用切开的独立芯片制程，激光由边缘射出的边射型激光有所不同；因为VCSEL是从集成电路的顶面发出激光光，所以它们被分割成单独的个体以前，可以直接在芯片上测试；这可以节省半导体制作过程中装置的花费及使用；这也允许VCSEL的制作不再只是一维，而可以是二维的排列。
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vcsel芯片是什么？
vcsel（vcsel）一般指垂直腔面发射激光器
垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser，简称VCSEL，又译垂直共振腔面射型激光）是一种半导体，其激光垂直于顶面射出，与一般用切开的独立芯片制程，激光由边缘射出的边射型激光有所不同。
在制作的过程中，VCSEL比边射型激光多了许多优点。边射型激光需要在制作完成后才可进行测试。若一个边射型激光无法运作，不论是因为接触不良或者是物质成长的品质不好，都会浪费制作过程与物质加工的处理时间。然而VCSEL可以在制造的任何过程中，测试其品质并且作问题处理，因为VCSEL的激光是垂直于反应区射出，与边射型激光平行于反应区射出相反，所以可以同时有数万个VCSEL在一个三英寸大的砷镓芯片上被处理。此外，既使VCSEL在制造的过程需要较多的劳动与较精细的材料，生产结果是可被控制的及更多可被预期的。
特性
因为VCSEL是从集成电路的顶面发出激光光，所以它们被分割成单独的个体以前，可以直接在芯片上测试。这可以节省半导体制作过程中装置的花费及使用。这也允许VCSEL的制作不再只是一维，而可以是二维的排列。
较大的VCSEL输出孔径，与大多数边射型激光比较，产生输出光束的一个较低的发散角，并且使光纤的连线效率更高。
与大多数的边射型激光比较，一个高反射率的镜子减少了VCSEL的闸值电流，造成低功率的消耗。然而至今，VESEL所发射的能量较边射型激光少。较低的闸值电流也允许VCSEL存有高本质的调整带宽。
VCSEL的波长在反应区的获得带中，可以借由调节反射层的厚度而改变。
早期VCSEL的放射光为纵向多模或细丝模式，而现今VCSEL多为单模。
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