本站 9 月 3 日消息，韓媒 etnews 當地時間昨報道稱，三星電子和 SK 海力士的「類 HBM 式」堆疊結構移動內存產品將在 2026 年後實現商業化。
消息人士表示這兩大韓國內存巨頭將堆疊式移動內存視為未來重要收入來源，計劃將“類HBM 內存”擴展到智慧型手機、平板電腦和筆記型電腦中，為端側AI提供動力。
綜合本站先前報道，三星電子的此類產品叫做LP Wide I/O 內存，SK 海力士則將這方面技術稱為 VFO。兩家企業使用了大致相同的技術路線，即將扇出封裝和垂直通道結合在一起。
三星電子的 LP Wide I/O 記憶體位寬達 512bit，是現有 LPDDR 記憶體的 8 倍，較傳統引線鍵結擁有 8 倍I/O 密度和 2.6 倍的 I/O 頻寬。記憶體將於 2025 年第一季技術就緒，2025 年下半年至 2026 年中量產就緒。
而 SK 海力士的 VFO 技術驗證樣品將導線長度縮短至傳統內存的不到 1/4，能效也提升了 4.9%。雖然該方案帶來了額外 1.4% 的散熱量，但封裝厚度減少了 27%。
報告指出，關於這些堆疊式移動內存如何同處理器集成尚無定論，討論中的方案包括類似 HBM 的 2.5D 封裝或 3D 垂直堆疊。
半導體封裝產業人士表示，行動處理器如何設計與佈置將影響堆疊式行動記憶體的配置與連接方式，這意味著新一代行動記憶體將根據合作夥伴的需求客製化供應，徹底改變移動DRAM 市場格局。
以上是消息稱三星電子、SK 海力士堆疊式行動記憶體 2026 年後商業化的詳細內容。更多資訊請關注PHP中文網其他相關文章！
