Kioxia menyasar untuk melancarkan memori kilat NAND 1,000 lapisan pada 2031 untuk menyusun semula perniagaan memori kelas storan

Menurut Nikkei xTECH, Kioxia CTO Hideshi Miyajima berkata pada Kuliah Akademik Musim Bunga Ke-71 Persatuan Fizik Gunaan Jepun baru-baru ini bahawa syarikat itu menyasarkan untuk melancarkan memori kilat NAND 3D 1000 lapisan pada 2030~2031, dan Kelas Penyimpanan Perniagaan Memory (SCM) telah disusun semula.

Kiaoxia dan Western Digital bekerjasama untuk membangunkan teknologi memori denyar NAND Produk paling canggih daripada rakan kongsi semasa ialah memori denyar BICS8 218 lapisan. Memori kilat BICS8 boleh mencapai kadar I/O 3200MT/s.

Pada tahun 2022, sebuah lagi syarikat NAND utama menunjukkan pandangan yang sama pada Hari Teknologi. Diramalkan menjelang 2030, mereka merancang untuk mencapai storan NAND 3D bertindan 1,000 lapisan.

Meningkatkan bilangan lapisan susun ialah cara utama untuk meningkatkan kapasiti zarah memori kilat NAND 3D tunggal. Walau bagaimanapun, apabila bilangan lapisan meningkat, kesukaran untuk menggores saluran menegak dalam zarah memori kilat meningkat secara beransur-ansur apabila nisbah bidang meningkat. Selain kesukaran yang tinggi dan hasil yang rendah, goresan nisbah aspek yang tinggi juga merupakan proses yang memakan masa dan kos yang tinggi: pada masa ini setiap goresan sedemikian mengambil masa kira-kira 1 jam Jika kilang NAND ingin meningkatkan kapasiti pengeluaran, mereka mesti membeli lebih banyak mesin etsa. Mesin.

Oleh itu

dalam BICS8 untuk mencapai goresan saluran menegak bagi dua tindanan NAND secara berasingan. Langkah ini meningkatkan masalah untuk melepasi antara dwi tindanan, tetapi secara keseluruhannya ia masih mengurangkan kesukaran. Memori kilat NAND bertindan ribuan lapisan dijangka mengandungi lebih banyak tindanan NAND pada masa hadapan.

Selain itu, Miyajima Hideshi juga berkata berbanding pesaing yang mengendalikan kedua-dua NAND dan DRAM,

. CTO berkata bahawa di bawah ledakan AI, jurang prestasi antara DRAM dan NAND semakin melebar, dan SCM boleh mengisi jurang ini.

KioXia menyusun semula "Makmal Penyelidikan Teknologi Memori" sebelum ini menjadi "Makmal Penyelidikan Teknologi Lanjutan" pada 1 April. Penyelidikan SCMnya akan menumpukan pada kenangan baharu seperti MRAM, FeRAM dan ReRAM, yang dijangka akan dihantar dalam tempoh 2 hingga 3 tahun.

Merujuk kepada laporan di laman web ini, Kioxia sebelum ini memfokuskan pada penyelesaian memori kilat XL-FLASH dalam medan SCM. Syarikat itu melancarkan generasi kedua XL-FLASH pada 2022 yang menyokong mod MLC.

Atas ialah kandungan terperinci Kioxia menyasar untuk melancarkan memori kilat NAND 1,000 lapisan pada 2031 untuk menyusun semula perniagaan memori kelas storan. Untuk maklumat lanjut, sila ikut artikel berkaitan lain di laman web China PHP!