Menurut berita dari laman web ini pada 3 September, media Korea etnews melaporkan semalam (waktu tempatan) bahawa produk memori mudah alih berstruktur "seperti HBM" SK Hynix akan dikomersialkan selepas 2026.
Sumber berkata bahawa kedua-dua gergasi memori Korea menganggap memori mudah alih bertindan sebagai sumber pendapatan penting pada masa hadapan, dan merancang untuk mengembangkan "memori seperti HBM" kepada telefon pintar, tablet dan komputer riba untuk menyediakan sokongan untuk akhir- sisi AI.
Berdasarkan laporan terdahulu di tapak ini, produk Samsung Electronics dipanggil memori LP Wide I/O, dan SK Hynix memanggil teknologi ini VFO. Kedua-dua syarikat menggunakan kira-kira laluan teknikal yang sama, iaitu, menggabungkan pembungkusan kipas dan saluran menegak.
Memori LP Wide I/O Samsung Electronics mempunyai sedikit lebar 512 bit, iaitu 8 kali ganda daripada memori LPDDR sedia ada Ia mempunyai 8 kali ketumpatan I/O dan 2.6 kali lebar jalur I/O berbanding dengan ikatan wayar tradisional. Memori itu akan sedia secara teknikal pada suku pertama 2025 dan sedia untuk pengeluaran besar-besaran pada separuh kedua 2025 hingga pertengahan 2026.
Dan sampel pengesahan teknologi VFO SK Hynix memendekkan panjang wayar kepada kurang daripada 1/4 memori tradisional dan meningkatkan kecekapan tenaga sebanyak 4.9%. Walaupun penyelesaian ini menghasilkan 1.4% pelesapan haba tambahan, ketebalan bungkusan dikurangkan sebanyak 27%.
Laporan itu menunjukkan bahawa belum ada kesimpulan tentang cara memori mudah alih yang disusun ini akan disepadukan dengan pemproses termasuk pembungkusan 2.5D yang serupa dengan HBM atau Susun menegak 3D.
Orang dalam industri pembungkusan semikonduktor berkata bahawa cara pemproses mudah alih direka dan disusun akan mempengaruhi konfigurasi dan kaedah sambungan memori mudah alih bertindan Ini bermakna memori mudah alih generasi baharu akan disesuaikan dan dibekalkan mengikut keperluan rakan kongsi, mengubah sepenuhnya landskap pasaran DRAM mudah alih.
Atas ialah kandungan terperinci Sumber mengatakan Samsung Electronics dan SK Hynix akan mengkomersialkan memori mudah alih bertindan selepas 2026. Untuk maklumat lanjut, sila ikut artikel berkaitan lain di laman web China PHP!