전원이 차단되면 원본 정보가 손실되는 메모리는 RAM입니다. 하드 디스크 메모리, 플로피 디스크 메모리 및 ROM 메모리는 모두 비휘발성 메모리이므로 여기에 저장된 정보는 정전으로 인해 손실되지 않습니다. RAM 메모리만 정전 후에 원래 정보를 잃게 됩니다. RAM의 작동 특성은 전원이 켜진 후 언제 어디서나 데이터 정보에 액세스할 수 있으며 전원이 꺼지면 내부 정보가 사라진다는 것입니다.
이 문서의 운영 환경: Windows 7 시스템, Dell G3 컴퓨터.
전원이 차단되면 원본 정보가 손실되는 메모리는 RAM입니다.
하드 디스크 메모리, 플로피 디스크 메모리 및 ROM 메모리는 모두 비휘발성 메모리이므로 여기에 저장된 정보는 정전으로 인해 손실되지 않습니다. RAM 메모리만 정전 후에 원래 저장된 정보를 잃게 됩니다.
RAM 메모리 소개
Random Access Memory(영어: Random Access Memory, 약어: RAM)라고도 불리는 메인 메모리는 CPU와 직접 데이터를 교환하는 내부 메모리입니다. 언제든지 읽고 쓸 수 있고(새로 고칠 때 제외) 속도가 매우 빠르며 운영 체제나 기타 실행 중인 프로그램의 임시 데이터 저장 매체로 자주 사용됩니다. RAM이 작동 중이면 언제든지 지정된 주소에서 정보를 쓰거나(저장), 읽을(검색) 수 있습니다. ROM과 가장 큰 차이점은 데이터의 휘발성입니다. 즉, 전원이 꺼지면 저장된 데이터가 손실됩니다. RAM은 컴퓨터와 디지털 시스템에서 프로그램, 데이터 및 중간 결과를 임시로 저장하는 데 사용됩니다.
RAM(Random Access Memory)은 지정된 장치에 정보를 저장하고 정보를 읽을 수 있습니다. RAM에 저장된 모든 정보는 전원이 꺼지면 손실되므로 RAM은 휘발성 메모리입니다.
ROM은 데이터, 테이블, 펌웨어 프로그램의 고정 저장 외에도 조합 논리 회로에도 널리 사용되는 읽기 전용 메모리입니다.
특징:
랜덤 액세스
소위 "랜덤 액세스"는 메모리의 데이터를 읽거나 쓸 때 필요한 시간은 정보의 위치 또는 쓰여진 위치와 관련됩니다. 관련이 없습니다. 반면 순차접근 저장장치에 있는 정보를 읽거나 쓸 때는 필요한 시간과 장소가 관련되어 있다. 주로 운영체제, 각종 애플리케이션, 데이터 등을 저장하는 데 사용됩니다.
RAM이 정상적으로 작동하면 RAM에서 데이터를 읽을 수 있고 RAM에 데이터를 쓸 수도 있습니다. RAM은 ROM에 비해 읽기/쓰기가 쉽고 유연한 사용이 가능하다는 장점이 있으며, 특히 데이터가 빈번하고 빠르게 변경되는 상황에 적합합니다.
Volatile
RAM은 전원이 꺼지면 데이터를 유지할 수 없습니다. 데이터를 저장해야 하는 경우 장기 저장 장치(예: 하드 드라이브)에 기록해야 합니다.
RAM의 작동 특성은 전원이 켜진 후 언제 어디서나 데이터 정보에 액세스할 수 있으며 전원이 꺼지면 내부 정보가 사라진다는 것입니다.
정전기에 민감함
다른 섬세한 집적 회로와 마찬가지로 랜덤 액세스 메모리도 환경의 정전기에 매우 민감합니다. 정전기는 메모리의 커패시터 충전을 방해하여 데이터가 손실되거나 회로가 소진될 수도 있습니다. 따라서 랜덤 액세스 메모리를 만지기 전에 손으로 금속 접지를 만져야 합니다.
액세스 속도
현대의 랜덤 액세스 메모리는 모든 액세스 장치 중에서 쓰기 및 읽기 속도가 거의 가장 빠르며, 액세스 지연도 기계적 작동과 관련된 다른 저장 장치에 비해 미미합니다.
새로 고침(재생) 필요
현대 RAM은 커패시터를 사용하여 데이터를 저장합니다. 완전히 충전된 커패시터는 1(이진수)을 나타내고, 충전되지 않은 커패시터는 0을 나타냅니다. 커패시터에는 어느 정도 누출이 있기 때문에 특별한 조치를 취하지 않으면 시간이 지남에 따라 데이터가 점차 손실됩니다. 리프레시란 주기적으로 커패시터의 상태를 판독한 후 원래 상태에 따라 커패시터를 재충전하여 손실된 전하를 보충하는 것을 의미합니다. 새로 고침의 필요성은 랜덤 액세스 메모리의 휘발성 특성을 정확하게 설명합니다.
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