dram はメモリースティックです。 DRAM は中国語で「ダイナミック ランダム アクセス メモリ」を意味します。その主な特徴の 1 つは、電源が遮断されるとデータが失われることです。これが通常メモリと呼ばれるものです。通常、ビットを表すにはトランジスタとコンデンサが使用されます。 DRAM は非常に高密度で単位体積あたりの容量が大きいため、低コストですが、アクセス速度が遅く、消費電力が大きいという欠点もあります。
このチュートリアルの動作環境: Windows 7 システム、Dell G3 コンピューター。
dram はメモリースティックです。
メモリースティックの概要
メモリースティックは、CPU と他のデバイスを接続するチャネルであり、バッファリングとデータの役割を果たします。交換。 CPUが動作する際には、ハードディスクなどの外部ストレージからデータを読み込む必要がありますが、ハードディスクという「倉庫」が大きすぎてCPUから遠いため、「素材」のデータの転送速度が低下してしまいます。生産効率が大幅に低下します! この問題を解決するために、人々は CPU と外部メモリの間に「小さな倉庫」、つまりメモリを構築しました。
メモリースティックの機能
メモリーはコンピューターの主要なコンポーネントであり、外部メモリーと関係があります。 Windows 7システムやタイピングソフト、ゲームソフトなど、私たちが普段使用しているプログラムはハードディスクなどの外部メモリにインストールされているのが一般的ですが、それだけではその機能を利用することができず、メモリ上に転送する必要があります。通常、その機能を使用してテキストを入力したり、ゲームをプレイしたりしますが、これらは実際にはメモリ内で行われます。通常、永続的に保存したい大量のデータは外部メモリに保存し、一時的または少量のデータやプログラムをメモリに置きます。
メモリースティックの分類
メモリーはDRAMとROMの2種類に分けられ、前者はダイナミックランダムアクセスメモリーとも呼ばれます。その主な特徴は、壊れることです。電源を入れるとデータが失われます。これは通常メモリと呼ばれるものであり、後者は読み取り専用メモリとも呼ばれます。コンピュータの電源を入れると、最初に起動するのは BIOS です。 Windows の場合、ROM の主な機能の 1 つは、停電後にデータが失われないことです。
メモリースティックのピンの数に応じて、メモリースティックを 30 ライン、72 ライン、168 ラインなどに分割できます。 30 ラインおよび 72 ラインのメモリ モジュールは、シングルランク メモリ モジュール (SIMM) とも呼ばれます (SIMM は、両側に同じ信号を提供するゴールド フィンガーを備えたメモリ構造です)。メモリモジュールDIMM。現在、30 ラインのメモリ モジュールは入手できなくなりました。ここ数年で人気があったのは 72 ラインのメモリ モジュールで、容量は一般に 4 MB、8 MB、16 MB、32 MB で、現在の主流の品種です。市場には 168 ラインのメモリがあります。168 ラインのメモリ スティックの容量は、一般に 16 MB、32 MB、64 MB、128 MB などです。一般的なコンピュータに差し込むだけで問題ありません。ただし、VX ベースのマザーボードのみです。 TX、および BX チップセットは 168 ラインのメモリをサポートします。
メモリの動作モードに応じて、メモリはFPA EDO DRAMとSDRAM（同期ダイナミックRAM）に分類できます。
FPM(FAST PAGE MODE)RAM
高速ページ モード ランダム アクセス メモリ: これは、初期のコンピュータ システムで一般的に使用されていたメモリで、3 つごとにデータが転送されます。クロックパルスサイクルごとに1回。
EDO(EXTENDED DATA OUT)RAM
拡張データ出力ランダム アクセス メモリ: EDO メモリは、マザーボードとメモリの 2 つのストレージ サイクル間の時間間隔をキャンセルします。 2 クロック パルス サイクルごとにデータを出力するため、アクセス時間が大幅に短縮され、ストレージ速度が 30% 向上します。 EDO は通常 72 ピンであり、EDO メモリは SDRAM に置き換えられています。
S(SYSNECRONOUS)DRAM
同期ダイナミック ランダム アクセス メモリ: SDRAM は 168 ピンで、現在 PENTIUM 以降のモデルで使用されているメモリです。 SDRAM は、同じクロックを通じて CPU と RAM を一緒にロックし、CPU と RAM がクロック サイクルを共有し、同じ速度で同期して動作できるようにします。各クロック パルスの立ち上がりエッジでデータの送信を開始します。これは EDO メモリより 50% 高速です。 。
DDR (DOUBLE DATA RAGE) RAM
SDRAM のアップデートされた製品で、クロック パルスの立ち上がりエッジと立ち下がりエッジでデータを送信できるようになります。クロックを上げる必要はありません。周波数は SDRAM の 2 倍の速度になります。
RDRAM(RAMBUS DRAM)
メモリバス型ダイナミックランダムアクセスメモリ。 RDRAM は、システム帯域幅とチップ間インターフェイス設計を備えた RAMBUS 社によって開発された新しいタイプの DRAM で、非常に高い周波数範囲でシンプルなバスを介してデータを送信できます。また、低電圧信号を使用して、高速同期クロック パルスの両方のエッジでデータを送信します。 INTEL は 820 チップセット製品に RDRAM のサポートを追加します。
DRAM (ダイナミック ランダム アクセス メモリ)
DRAM (ダイナミック ランダム アクセス メモリ、ダイナミック ランダム アクセス メモリ)、最も一般的に使用されるタイプのコンピュータ メモリ。通常、ビットを表すためにトランジスタとコンデンサが使用されます。 ROM や PROM などのファームウェア メモリとは異なり、2 つの主なタイプのランダム アクセス メモリ (ダイナミックおよびスタティック) は、電源がオフになると保存されているデータが失われます。
DRAM は半導体メモリの一種で、その主な動作原理は、コンデンサに蓄えられた電荷の量を使用して 2 進数のビット (ビット) が 1 か 0 かを表すことです。実際にはトランジスタにはリーク電流があるため、コンデンサに蓄積された電荷量ではデータを正確に識別するのに十分ではなく、データの破損が発生します。したがって、定期的な充電は DRAM にとって避けられない要件です。定期的なリフレッシュを必要とするこの特性のため、これは「動的」メモリと呼ばれます。比較的言えば、スタティック メモリ (SRAM) にデータが保存されている限り、リフレッシュされなくてもメモリが失われることはありません。
SRAM と比較した場合、DRAM の利点は構造がシンプルであることです。SRAM では通常 1 ビットあたり 6 個のトランジスタが必要ですが、データの各ビットの処理には 1 つのコンデンサと 1 つのトランジスタだけが必要です。このため、DRAM は非常に高密度で単位体積あたりの容量が大きく、したがって低コストになります。しかしその反面、DRAMにはアクセス速度が遅く、消費電力が大きいというデメリットもあります。
ほとんどのランダム アクセス メモリ (RAM) と同様、DRAM は揮発性メモリ デバイスであり、電源を切るとすぐにそこに保存されているデータが消えてしまいます。
さらに関連する知識については、FAQ 列をご覧ください。
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