dram est une clé USB. DRAM signifie « mémoire vive dynamique » en chinois. L'une de ses principales caractéristiques est que les données seront perdues après une coupure de courant. C'est ce qu'on appelle habituellement la mémoire. Un transistor et un condensateur sont généralement utilisés pour représenter un bit. La DRAM a une densité très élevée, une capacité par unité de volume élevée et donc un faible coût ; elle présente également les inconvénients d'une vitesse d'accès lente et d'une consommation d'énergie élevée ;
L'environnement d'exploitation de ce tutoriel : système Windows 7, ordinateur Dell G3.
dram est une clé USB.
Aperçu de la clé USB
La clé USB est un canal qui connecte le processeur et d'autres appareils et joue un rôle dans la mise en mémoire tampon et l'échange de données. Lorsque le processeur fonctionne, il a besoin de lire les données d'un stockage externe tel que le disque dur. Cependant, comme « l'entrepôt » du disque dur est trop grand et éloigné du processeur, la vitesse de transport des données « matières premières ». est relativement lent, ce qui fait que l'efficacité de la production du CPU est considérablement réduite ! Afin de résoudre ce problème, les gens ont construit un « petit entrepôt » - de la mémoire entre le CPU et la mémoire externe.
Le rôle de la clé USB
La mémoire est le composant principal de l'ordinateur, qui est relatif à la mémoire externe. Les programmes que nous utilisons habituellement, comme le système Windows 7, les logiciels de saisie, les logiciels de jeux, etc., sont généralement installés sur un stockage externe tel que des disques durs, mais leurs fonctions ne peuvent pas être utilisées uniquement par celui-ci. Ils doivent être transférés dans la mémoire vers. run. En utilisant sa fonction, nous saisissons généralement un morceau de texte ou jouons à un jeu, ce qui se fait en fait en mémoire. Habituellement, nous stockons de grandes quantités de données à sauvegarder de manière permanente dans la mémoire externe et mettons en mémoire des quantités temporaires ou de petites quantités de données et de programmes.
Classification des clés USB
La mémoire est divisée en deux types : la DRAM et la ROM. La première est également appelée mémoire vive dynamique. L'une de ses principales caractéristiques est que les données seront perdues après une panne de courant. est ce que nous appelons habituellement mémoire. Cette dernière est également appelée mémoire en lecture seule. Lorsque nous allumons l'ordinateur, la première chose que nous démarrons est le programme BIOS stocké dans la ROM de la carte mère, puis il appelle Windows sur le disque dur. L'une des principales caractéristiques de la ROM est que les données ne seront pas perdues après une panne de courant.
Selon le nombre de broches sur la clé USB, nous pouvons diviser la clé USB en 30 lignes, 72 lignes, 168 lignes, etc. Les modules de mémoire de 30 et 72 lignes sont également appelés module de mémoire SIMM à un seul rang (SIMM est une structure de mémoire dans laquelle les doigts dorés des deux côtés fournissent le même signal.) Le module de mémoire de 168 lignes est également appelé module de mémoire à double rang. module de mémoire DIMM. À l'heure actuelle, les modules de mémoire de 30 lignes ne sont plus disponibles ; la variété la plus populaire ces dernières années était les modules de mémoire de 72 lignes, avec des capacités allant généralement de 4 Mo, 8 Mo, 16 Mo et 32 Mo, la variété courante actuelle ; sur le marché est une mémoire de 168 lignes. Les clés USB de 168 lignes ont généralement des capacités de 16 Mo, 32 Mo, 64 Mo, 128 Mo, etc. Un ordinateur général suffira simplement à en brancher une. Cependant, seules les cartes mères basées sur VX, Les chipsets TX et BX prennent en charge 168 lignes de mémoire.
Selon le mode de fonctionnement de la mémoire, la mémoire peut être divisée en FPA EDO DRAM et SDRAM (RAM dynamique synchrone).
RAM FPM (FAST PAGE MODE)
Mémoire à accès aléatoire en mode page rapide : il s'agit de la mémoire couramment utilisée dans les systèmes informatiques antérieurs. Elle transfère les données tous les trois cycles d'impulsion d'horloge.
EDO (EXTENDED DATA OUT) RAM
Mémoire à accès aléatoire de sortie de données étendue : la mémoire EDO annule l'intervalle de temps entre les deux cycles de stockage de la carte mère et de la mémoire. Elle produit des données une fois tous les deux cycles d'impulsion d'horloge. le temps est considérablement raccourci et la vitesse de stockage est augmentée de 30 %. EDO est généralement composé de 72 broches et la mémoire EDO a été remplacée par SDRAM.
S(SYSNECRONOUS)DRAM
Mémoire vive dynamique synchrone : la SDRAM est de 168 broches, qui est la mémoire actuellement utilisée par les modèles PENTIUM et supérieurs. La SDRAM verrouille le CPU et la RAM ensemble via la même horloge, permettant au CPU et à la RAM de partager un cycle d'horloge et de fonctionner de manière synchrone à la même vitesse. Les données commencent à être transférées sur le front montant de chaque impulsion d'horloge, ce qui est 50 % plus rapide que celui-ci. Mémoire EDO.
RAM DDR (DOUBLE DATA RAGE)
Un produit mis à jour de la SDRAM, elle permet de transmettre des données sur les fronts montants et descendants de l'impulsion d'horloge, de sorte que la vitesse de la SDRAM puisse être doublée sans augmenter la fréquence de l'horloge. .
RDRAM(RAMBUS DRAM)
Mémoire vive dynamique de type bus mémoire. La RDRAM est un nouveau type de DRAM développé par la société RAMBUS avec une bande passante système et une conception d'interface puce à puce. Il peut transmettre des données via un simple bus dans une plage de fréquences très élevée. Il utilise également des signaux basse tension pour transmettre des données sur les deux fronts des impulsions d'horloge de synchronisation à grande vitesse. INTEL ajoutera la prise en charge de la RDRAM à ses 820 chipsets.
DRAM (mémoire dynamique à accès aléatoire)
DRAM (Dynamic Random Access Memory), le type de mémoire informatique le plus couramment utilisé. Il utilise généralement un transistor et un condensateur pour représenter un peu. Contrairement aux mémoires de micrologiciel telles que ROM et PROM, les deux principaux types de mémoire vive (dynamique et statique) perdront leurs données stockées lors de la mise hors tension.
DRAM est une mémoire à semi-conducteur. Son principal principe de fonctionnement est d'utiliser la quantité de charge stockée dans le condensateur pour représenter si un bit binaire (bit) est 1 ou 0. Étant donné que les transistors ont en réalité un courant de fuite, la quantité de charge stockée sur le condensateur n'est pas suffisante pour identifier correctement les données, ce qui entraîne une corruption des données. Par conséquent, une charge périodique est une exigence inévitable pour la DRAM. En raison de cette caractéristique qui nécessite un rafraîchissement périodique, on parle de mémoire « dynamique ». Relativement parlant, tant que la mémoire statique (SRAM) stocke les données, la mémoire ne sera pas perdue même si elle n'est pas actualisée.
Par rapport à la SRAM, l'avantage de la DRAM est sa structure simple : chaque bit de données n'a besoin que d'un seul condensateur et d'un transistor pour être traité, par rapport à la SRAM, qui nécessite généralement six transistors par bit. Pour cette raison, la DRAM présente une très haute densité, une capacité par unité de volume élevée et donc un faible coût. Mais au contraire, la DRAM présente également les inconvénients d’une vitesse d’accès lente et d’une consommation d’énergie élevée.
Comme la plupart des mémoires vives (RAM), étant donné que les données stockées dans la DRAM disparaîtront peu de temps après la coupure de courant, il s'agit d'un périphérique de mémoire volatile.
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