内存时序1t和2t的差别:
1T拥有较少的延迟,较佳的系统内存效能。却较差的兼容性。适合您的DIMM未插满时。
2T拥有较久的延迟、差很多的系统内存较能。较高的兼容性、稳定性。适合您的DIMM已全部插满时。
扩展资料:
内存时序(英语:Memory timings或RAM timings)是描述同步动态随机存取存储器(SDRAM)性能的四个参数:CL、TRCD、TRP和TRAS,单位为时钟周期。它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字,例如7-8-8-24。第四个参数(RAS)经常被省略,而有时还会加入第五个参数:Command rate(命令速率),通常为2T或1T,也写作2N、1N。这些参数指定了影响随机存取存储器速度的潜伏时间(延迟时间)。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最终元素是实际的延迟时间,通常以纳秒为单位。
当将内存时序转换为实际的延迟时,最重要的是注意它是以时钟周期为单位。如果不知道时钟周期的时间,就不可能了解一组数字是否比另一组数字更快。
举例来说,DDR3-2000内存的时钟频率是1000 MHz,其时钟周期为1 ns。基于这个1 ns的时钟,CL=7给出的绝对延迟为7 ns。而更快的DDR3-2666(时钟1333 MHz,每个周期0.75 ns)则可能用更大的CL=9,但产生的绝对延迟6.75 ns更短。
现代DIMM包括一个串行存在检测(SPD)ROM芯片,其中包含为自动配置推荐的内存时序。PC上的BIOS可能允许用户调整时序以提高性能(存在降低稳定性的风险),或在某些情况下增加稳定性(如使用建议的时序)。
以上就是内存时序1t和2t的差别的详细内容,更多请关注php中文网其它相关文章!