삼성전자, 이르면 2024년 말까지 첫 ASML High-NA EUV 리소그래피 장비 설치 시작할 것으로 밝혀져

8월 16일자 이 사이트의 소식, 서울경제는 어제(8월 15일) 삼성이 2024년 4분기부터 2025년 1분기 사이에 ASML로부터 최초로 High-NA EUV 노광기를 설치할 것이라고 보도했습니다. 2025년 중반 상용화 예정.

삼성은 주로 로직 및 DRAM용 차세대 제조 기술을 개발하기 위한 연구 개발 목적으로 최초의 ASML Twinscan EXE:5000 High-NA 리소그래피 기계를 화성 캠퍼스에 설치할 예정이라고 합니다.

삼성은 High-NA EUV 기술을 중심으로 강력한 생태계를 개발할 계획입니다. Samsung은 High-NA EUV 노광 장비 확보 외에도 일본 Lasertec Corporation과 협력하여 High-NA 포토마스크 전용 검사 장비를 개발하고 있습니다.

이 사이트에서는 삼성이 Lasertec의 High-NA EUV 마스크 검사 도구인 Actis A300을 구입했다는 보도를 DigiTimes에서 인용했습니다.

1. 삼성전자 반도체연구소 민철기 박사는 2024년 노광 및 패터닝 심포지엄에서 “기존의 [EUV 전용 툴]에 비해 [High-NA EUV 전용 툴]을 사용하면 반도체 마스크를 검사할 수 있다”고 말했다. 대비를 30% 이상 높여줍니다."

2. 또한 보고서에 따르면 삼성은 포토레지스트 제조업체인 JSR 및 에칭 기계 제조업체인 Tokyo Electronics와 협력하여 2027년까지 Gaona EUV 도구를 상용 애플리케이션에 적용할 준비를 하고 있다고 합니다.
3. 삼성은 또한 Synopsys와 협력하여 전통적인 회로 설계에서 포토마스크의 곡선 패턴으로 전환하고 있습니다. 이러한 변화는 공정 기술을 더욱 향상시키는 데 중요한 회로가 웨이퍼에 인쇄되는 정확도를 향상시킬 것으로 예상됩니다.

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