삼성전자는 평택 P4공장 1cnm D램 메모리 생산라인 투자를 확정하고 내년 6월 가동을 목표로 하는 것으로 알려졌다.
8월 12일 본 사이트의 보도에 따르면, 국내 언론 전자뉴스는 삼성전자가 평택 P4 공장에 1c나노급 D램 메모리 생산라인을 건설하는 투자 계획을 내부적으로 확정했다고 보도했다. 해당 생산라인은 6월 가동을 목표로 하고 있다. 내년. 평택P4는 4단계로 나누어진 종합반도체 생산센터이다. 초기 계획에서는 1단계는 NAND 플래시 메모리, 2단계는 로직 파운드리, 3, 4단계는 DRAM 메모리용이었습니다. 삼성전자는 P4 1단계에서 D램 생산장비를 도입했지만 2단계 건설은 보류했다. 1cnm DRAM은 6세대 20~10nm 메모리 기술로, 각사의 1cnm(또는 해당 1γnm) 제품은 아직 공식적으로 출시되지 않았습니다. 국내 언론은 삼성전자가 올해 말 1cnm 메모리 생산을 시작할 계획이라고 보도했다.
▲ 삼성 평택공장 본 사이트의 이전 보도에 따르면, 삼성전자는 HBM4 제품의 에너지 효율 경쟁력을 높이기 위해 내년 하반기 출시 예정인 HBM4 메모리에 1c nm DRAM 다이를 적용하는 방안을 검토 중이다. 더욱 발전된 DRAM 공정으로 이 분야의 선두주자인 HBM SK하이닉스를 따라잡으세요.
HBM 메모리의 DRAM 웨이퍼 소비량이 기존 메모리에 비해 훨씬 높다는 점을 고려하여 평택 P4의 1c nm DRAM 생산 라인 건설도 HBM4의 생산 요구에 대비하고 있습니다.
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8일 본 사이트 소식에 따르면 삼성전자는 2024 플래시 메모리 서밋(FMS)에서 PM1753, BM1743, PM9D3a, PM9E1 등 다양한 SSD 신제품을 시연했으며, 9세대 QLCV-NAND, TLCV-NAND, CMM-D –DRAM, CMM-HTM, CMM-HPM 및 CMM-BCXL 기술이 도입되었습니다. BM1743은 최대 용량 128TB, 연속 읽기 속도 7.5GB/s, 쓰기 속도 3.5GB/s, 랜덤 읽기 160만 IOPS, 쓰기 45,000 IOPS의 QLC 플래시 메모리를 채택했다. 2.5인치 폼팩터 및 U.2 인터페이스, 유휴 상태 전력 소비는 4W로 감소하고 후속 OTA 업데이트 후에는

3일 홈페이지 보도에 따르면 국내 언론 에트뉴스는 어제(현지시간) 삼성전자와 SK하이닉스의 'HBM형' 적층구조 모바일 메모리 제품이 2026년 이후 상용화될 것이라고 보도했다. 소식통에 따르면 두 한국 메모리 거대 기업은 적층형 모바일 메모리를 미래 수익의 중요한 원천으로 여기고 'HBM형 메모리'를 스마트폰, 태블릿, 노트북으로 확장해 엔드사이드 AI에 전력을 공급할 계획이라고 전했다. 이 사이트의 이전 보도에 따르면 삼성전자 제품은 LPWide I/O 메모리라고 하며 SK하이닉스는 이 기술을 VFO라고 부른다. 두 회사는 팬아웃 패키징과 수직 채널을 결합하는 것과 거의 동일한 기술 경로를 사용했습니다. 삼성전자 LPWide I/O 메모리의 비트폭은 512이다.

8월 17일 뉴스에 따르면, 출처 @ibinguniverse는 오늘 웨이보에 글을 올려, 애플 아이폰 16 프로 맥스의 정확한 크기는 6.88인치, 갤럭시 S25 울트라의 정확한 크기는 6.86인치로 둘 다 6.9인치로 간주할 수 있다고 밝혔습니다. . 소식통에 따르면 Samsung Galaxy S25 Ultra는 S24 Ultra보다 본체가 더 좁고 화면이 더 넓으며, 본체에 대한 가로 화면 비율이 94.1%인 반면, S24 Ultra의 본체에 대한 가로 화면 비율은 91.5%입니다. Fenye는 해당 소식통의 Weibo를 확인하면서 새로 노출된 iPhone 16 Pro Max 사진에 대해 댓글을 달았고, 휴대폰이 실제로는 직선 화면 + 2.5D 유리에 가깝다고 생각했습니다.

16일 본 사이트 소식에 따르면 서울경제는 어제(15일) 삼성전자가 2024년 4분기부터 2025년 1분기 사이에 ASML로부터 첫 번째 High-NAEUV 노광기를 설치할 예정이라고 보도했다. 2025년 중반 상용화 예정. 보도에 따르면 삼성은 화성 캠퍼스에 최초의 ASMLTwinscanEXE:5000High-NA 리소그래피 기계를 설치할 예정이며, 이는 주로 로직 및 DRAM용 차세대 제조 기술을 개발하기 위한 연구 개발 목적으로 사용될 것입니다. 삼성전자는 High-NAEUV 기술을 중심으로 강력한 생태계를 구축할 계획이다. 삼성전자는 High-NAEUV 노광장비 확보에 더해 일본 Lasertec과 협력해 High-NAEUV 노광장비 전용 고-NAEUV 노광장비 개발도 진행 중이다.

8월 23일 뉴스에 따르면, 삼성전자는 9월 말 공개될 예정인 새로운 폴더블폰 W25를 출시할 예정이다. 이에 맞춰 언더스크린 전면 카메라와 본체 두께도 개선될 예정이다. 보도에 따르면, 코드명 Q6A인 삼성 W25에는 갤럭시 Z 폴드 시리즈의 400만 화소 카메라보다 향상된 500만 화소 언더 스크린 카메라가 장착될 예정입니다. 또한 W25의 외부 화면 전면 카메라와 초광각 카메라는 각각 1,000만 화소와 1,200만 화소가 될 것으로 예상된다. 디자인적으로 보면 W25는 접힌 상태에서 두께가 약 10mm로 표준형 갤럭시Z폴드6보다 약 2mm 얇아졌다. 화면 측면에서는 W25가 6.5인치 외부 화면과 8인치 내부 화면을 갖고 있는 반면, 갤럭시Z폴드6는 6.3인치 외부 화면과 8인치 내부 화면을 갖고 있다.

샤오미 Mi 15 시리즈는 10월 정식 출시될 예정이며, 전체 시리즈 코드명이 외신 MiCode 코드베이스에 노출됐다. 그중 주력 제품인 샤오미 미 15 울트라의 코드명은 '쉬안위안(Xuanyuan)'('쉬안위안(Xuanyuan)'이라는 뜻)이다. 이 이름은 중국 신화 속 황제(Yellow Emperor)에서 유래한 것으로 귀족을 상징한다. Xiaomi 15의 코드명은 "Dada"이고, Xiaomi 15Pro의 이름은 "Haotian"("Haotian"을 의미)입니다. Xiaomi Mi 15S Pro의 내부 코드명은 "dijun"으로, "산과 바다의 고전"의 창조신인 Jun 황제를 암시합니다. Xiaomi 15Ultra 시리즈 커버

31일 뉴스에 따르면, 기술전문매체 샘모바일은 어제(30일) 블로그 게시물을 게재하고 세이프티코리아 인증 홈페이지에서 삼성 갤럭시S25 울트라 휴대폰에 적합한 배터리 정보를 찾았다. 공개된 정보에 따르면 이번에 노출된 배터리 모델은 EB-BS938ABY와 EB-BS938ABE로 두 모델의 차이점은 아직 명확하지 않다. fenye Samsung Galaxy S25 Ultra 휴대폰은 Galaxy Z Fold6 및 Galaxy Z Flip 6 폴더블 휴대폰의 듀얼 배터리 솔루션을 사용하지 않고 단일 배터리 디자인을 채택합니다. 이전에 삼성이 갤럭시 S25 울트라 휴대폰의 배터리 사양을 업그레이드 및 최적화하지 않고 계속 사용할 것이라고 보도된 바 있습니다.

7월 31일 뉴스에 따르면, @ibinguniverse 출처는 16GB 메모리 탑재에 대한 트윗을 올렸습니다. 삼성 휴대폰 메모리 용량 업데이트 삼성전자가 갤럭시 S20 울트라(Galaxy S20 Ultra)와 갤럭시 S21 울트라(Galaxy S21 Ultra) 휴대폰에 16GB 메모리를 출시했습니다. 최신 플래그십 갤럭시 S24 울트라 휴대폰을 포함해 갤럭시 S22 울트라부터 삼성 휴대폰의 메모리 용량은 12GB로 제한됩니다. 곧 출시될 삼성 갤럭시 S25와 갤럭시 S25+는 12GB LPDD를 사용할 것으로 알려졌습니다.
