マイクロン：HBMメモリはウェーハ量の3倍を消費し、生産能力は基本的に来年に予約される

機械式ハード ドライブまたは SATA ソリッド ステート ドライブの場合、NVME ハード ドライブの場合は、ソフトウェアの実行速度の向上を感じられない場合があります。 1. レジストリをデスクトップにインポートし、新しいテキスト ドキュメントを作成し、次の内容をコピーして貼り付け、1.reg として保存し、右クリックしてマージしてコンピュータを再起動します。 WindowsRegistryEditorVersion5.00[HKEY_LOCAL_MACHINE\SYSTEM\CurrentControlSet\Control\SessionManager\MemoryManagement]"DisablePagingExecutive"=d

最近、Xiaomiはスタイリッシュなデザインだけでなく、内部および外部にブラックテクノロジーを備えた強力なハイエンドスマートフォンXiaomi 14Proをリリースしました。この電話機は最高のパフォーマンスと優れたマルチタスク機能を備えており、ユーザーは高速でスムーズな携帯電話体験を楽しむことができます。ただし、パフォーマンスはメモリにも影響されますので、多くのユーザーがXiaomi 14Proのメモリ使用量を確認する方法を知りたいので、見てみましょう。 Xiaomi Mi 14Proのメモリ使用量を確認するにはどうすればよいですか? Xiaomi 14Proのメモリ使用量を確認する方法を紹介. Xiaomi 14Proスマホの[設定]にある[アプリケーション管理]ボタンを開きます。インストールされているすべてのアプリのリストを表示するには、リストを参照して表示するアプリを見つけ、それをクリックしてアプリの詳細ページに入ります。アプリケーションの詳細ページで

初心者ユーザーがコンピュータを購入するとき、8g と 16g のコンピュータメモリの違いに興味を持つでしょう。 8gと16gどちらを選べばいいでしょうか？そんなお悩みに対し、今日は編集者が詳しく解説します。コンピューターのメモリの 8g と 16g の間に大きな違いはありますか? 1. 一般的な家庭や通常の仕事の場合、8G の実行メモリで要件を満たすことができるため、使用中に 8g と 16g の間に大きな違いはありません。 2. ゲーム愛好家が使用する場合、現在大規模なゲームは基本的に 6g からであり、8g が最低基準です。現状では画面が2kの場合、解像度が高くてもフレームレート性能は上がらないため、8gでも16gでも大きな差はありません。 3. オーディオおよびビデオ編集ユーザーにとって、8g と 16g の間には明らかな違いがあります。

7月30日の当サイトのニュースによると、Micronは本日（現地時間）、第9世代（サイト注：276層）3DTLC NANDフラッシュメモリを量産し、出荷すると発表した。マイクロンによると、同社のG9NANDは業界最高のI/O転送速度3.6GB/秒（つまり、フラッシュメモリインターフェース速度3600MT/秒）で、これは既存の競合製品の2400MT/秒よりも50％高く、要求を満たすことができるという。データ集約型のワークロードのニーズ。同時に、Micron の G9NAND は、書き込み帯域幅と読み取り帯域幅の点で、市場の他のソリューションよりもそれぞれ 99% および 88% 高く、この NAND 粒子レベルの利点により、ソリッド ステート ドライブと組み込みストレージにパフォーマンスとエネルギー効率がもたらされます。解決策。さらに、前世代の Micron NAND フラッシュ メモリと同様に、Micron 276

9月3日の当ウェブサイトのニュースによると、韓国メディアetnewsは昨日（現地時間）、サムスン電子とSKハイニックスの「HBM類似」積層構造モバイルメモリ製品が2026年以降に商品化されると報じた。関係者によると、韓国のメモリ大手2社はスタック型モバイルメモリを将来の重要な収益源と考えており、エンドサイドAIに電力を供給するために「HBMのようなメモリ」をスマートフォン、タブレット、ラップトップに拡張する計画だという。このサイトの以前のレポートによると、Samsung Electronics の製品は LPwide I/O メモリと呼ばれ、SK Hynix はこのテクノロジーを VFO と呼んでいます。両社はほぼ同じ技術的ルート、つまりファンアウト パッケージングと垂直チャネルを組み合わせたものを使用しました。 Samsung Electronics の LPwide I/O メモリのビット幅は 512

報告書によると、サムスン電子幹部のキム大宇氏は、2024年の韓国マイクロエレクトロニクス・パッケージング協会年次総会で、サムスン電子は16層ハイブリッドボンディングHBMメモリ技術の検証を完了すると述べた。この技術は技術検証を通過したと報告されています。同報告書では、今回の技術検証が今後数年間のメモリ市場発展の基礎を築くとも述べている。 DaeWooKim氏は、「サムスン電子がハイブリッドボンディング技術に基づいて16層積層HBM3メモリの製造に成功した。メモリサンプルは正常に動作する。将来的には、16層積層ハイブリッドボンディング技術がHBM4メモリの量産に使用されるだろう」と述べた。 ▲画像出典 TheElec、以下同 ハイブリッドボンディングは、既存のボンディングプロセスと比較して、DRAMメモリ層間にバンプを追加する必要がなく、上下層の銅と銅を直接接続する。

新しい RAM をインストールしたにもかかわらず Windows コンピューターに表示されない場合、この記事は問題の解決に役立ちます。通常、RAM をアップグレードすることでシステムのパフォーマンスが向上します。ただし、システムのパフォーマンスは、CPU、SSD などの他のハードウェアにも依存します。 RAM をアップグレードすると、ゲーム体験も向上します。一部のユーザーは、インストールされているメモリが Windows 11/10 に表示されないことに気づいています。このようなことが起こった場合は、ここで提供されているアドバイスを活用してください。インストールされている RAM が Windows 11 に表示されない インストールされている RAM が Windows 11/10 PC に表示されない場合は、次の提案が役に立ちます。取り付けられているメモリはコンピュータのマザーボードと互換性がありますか?バイオで

Edge ブラウザのメモリ使用量が多すぎると、システムの動作が遅くなったり、不安定になったりする可能性があるため、多くのユーザーが Edge ブラウザのメモリ使用量が多すぎる場合にどうすればよいかを尋ねます。このサイトでは、Edge ブラウザーの過剰なメモリ使用量の問題を解決する方法をユーザーに丁寧に紹介します。 Edge ブラウザーの高いメモリ使用量を解決する方法 1. 不要なタブを閉じる: 複数のタブを同時に開いている場合は、不要なタブ、特にリソース消費量の多い Web サイトやアプリケーションを閉じてみてください。 2. 不要な拡張機能を無効にするか削除します。一部の拡張機能は、Edge ブラウザのメモリ使用量を増加させる可能性があります。使用頻度が低いものや不要なものを無効にするか削除することを検討してください。