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第3世代と第4世代のメモリースティックの違い

王林

リリース： 2024-03-04 09:50:03

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第3世代と第4世代のメモリースティックの違い

コンピュータで動作する DDR3 と DDR4 メモリスティックの違いは何ですか?互換性はありますか?

1. メモリスティックの容量が変わります。DDR4 の方が容量が大きくなります。 DDR4 メモリは、差動信号技術 (DifferentialSignaling) と 3 次元積層技術 (3DS) を使用します。

2. DDR4 と DDR3 は電圧、周波数、外観、インターフェイスが異なるため、マザーボードに DDR4 メモリを搭載することはできません。接続できないため、使用できません。ハード接続して電源を入れると、メモリとマザーボードが焼けてしまいます。

3. DDR4 は新世代のメモリです。一般的ではありませんが、非常に高速です。現在、Intel X99 マザーボードでのみ使用できるため、同じマシン上で共有することはできません。メモリースティックメモリースティックは、CPU がバスを通じてアドレス指定し、読み取りおよび書き込み操作を実行できるコンピューターコンポーネントです。パーソナルコンピュータの歴史において、メモリースティックはメインメモリの拡張でした。

4. DDR4 は DDR3 よりもタイミングとレイテンシが低いため、プロセッサやその他のハードウェアコンポーネントからの命令により速く応答できます。容量と密度 DDR4 は DDR3 よりもメモリ密度が高いため、同じ物理空間でより大きなメモリ容量を提供できます。

ddr3 と ddr4 の違いは何ですか

違いは 7 つあります。DDR4 モジュールのカードスロットの外観は、DDR3 モジュールのカードスロットの位置と異なります。どちらも挿入側にカードスロットがありますが、互換性のないマザーボードやプラットフォームにモジュールが取り付けられないように、DDR4 カードスロットの位置が少し異なります。

ddr3 メモリと ddr4 メモリの違いは何ですか? DDR3 と DDR4 は 2 つの異なるメモリタイプです。それらの違いは主に周波数と帯域幅です。DDR4 の内部クロック速度はそれよりも高速です。したがって、同じ動作周波数でより高い帯域幅を提供できます。

ここでは、DDR3 メモリースティックと DDR4 メモリースティックの違いを紹介します。メモリスティックの容量が変更されます。DDR4 の容量が大きくなります。DDR4 メモリは、差動信号技術 (DifferentialSignaling) と 3 次元積層技術 (3DS) を使用しています。

サムスン電子は史上初のDDR4メモリを完成させた。 DDR4 と DDR3 の最大の違いは 3 つです: 16 ビットプリフェッチメカニズム (DDR3 は 8 ビット)、理論上の速度は同じコア周波数で DDR3 の 2 倍、より信頼性の高い伝送仕様、データの信頼性がさらに向上、動作電圧が 2V に低下し、エネルギー効率が向上します。

規格電圧が異なります。DDR3メモリの規格電圧は5Vですが、DDR4メモリの規格電圧は2Vです。1枚のメモリの容量も異なります。DDR3の一般的な容量は512MBから512MBまでです。 DDR3 メモリは 1 枚で 8GB、16GB と非常に珍しく、DDR4 ストリップには 4GB、8GB、16GB の容量があります。

DDR4 と DDR3 は電圧、周波数、外観、インターフェイスが異なるため、マザーボードに DDR4 メモリを取り付けることはできません。プラグインできないため、使用できません。ハードプラグインされている場合、および DDR3 は使用できません。電源を入れると、メモリとマザーボードが焼き切れます。