電源が切れると元の情報が失われるのはどのようなストレージですか?

電源を切ると元の情報が失われるメモリはRAMです。ハードディスク メモリ、フロッピー ディスク メモリ、ROM メモリはすべて不揮発性メモリであり、そこに保存されている情報は停電によって失われることはありませんが、停電後に元の情報が失われるのは RAM メモリだけです。 RAM の動作特性は、電源を入れるといつでもどこからでもデータ情報にアクセスでき、電源を切ると内部情報が消えてしまうことです。

#この記事の動作環境: Windows 7 システム、Dell G3 コンピューター。

電源を切ると元の情報が失われるメモリはRAMです。

ハードディスク メモリ、フロッピー ディスク メモリ、ROM メモリはすべて不揮発性メモリであり、停電によってもそれらに保存されている情報が失われることはありません。元の保存情報が失われるのは RAM メモリだけです。停電後。

RAMメモリ紹介

ランダムアクセスメモリ（英語：Random Access Memory、略称：RAM）は、メインメモリとも呼ばれます。 CPU は内部メモリと直接データを交換します。いつでも (更新時を除いて) 読み書きでき、非常に高速で、オペレーティング システムやその他の実行中のプログラムの一時データ記憶媒体としてよく使用されます。 RAM が動作している場合、いつでも指定したアドレスから情報を書き込んだり (保存したり)、読み取ったり (取得) できます。 ROM との最大の違いはデータの揮発性です。つまり、電源を切ると保存されているデータは失われます。 RAM は、コンピュータやデジタル システムでプログラム、データ、中間結果を一時的に保存するために使用されます。

ランダム アクセス メモリ (RAM) は、指定されたユニットに情報を保存したり、指定されたユニットから情報を読み出したりすることができます。 RAM に保存されている情報は電源を切ると失われるため、RAM は揮発性メモリです。

ROM は読み取り専用メモリで、データ、テーブル、ファームウェア プログラムの固定記憶域に加えて、組み合わせ論理回路でも広く使用されています。

機能:

• ランダムアクセス
  いわゆる「ランダムアクセス」とは、メモリ内のデータがいつアクセスされるかを指します。情報の読み取りまたは書き込みにかかる時間は、情報の場所や書き込み場所とは関係ありません。対照的に、Sequential Access ストレージ デバイスで情報を読み書きする場合、必要な時間と場所は関連します。主にオペレーティングシステム、さまざまなアプリケーション、データなどを保存するために使用されます。
  RAM が正常に動作している場合は、データを RAM から読み取ったり、RAM に書き込んだりできます。 RAM は ROM と比較して、読み書きが容易で柔軟に使用できるという利点があり、データを頻繁かつ迅速に変更する場合に特に適しています。

• #揮発性

  #RAM は、電源がオフになるとデータを保持できません。データを保存する必要がある場合は、長期記憶装置 (ハード ドライブなど) に書き込む必要があります。

  RAM の動作特性は、電源を入れるといつでもどこからでもデータ情報にアクセスでき、電源を切ると内部情報が消えてしまうことです。

  静電気に敏感
• 他の繊細な集積回路と同様、ランダム アクセス メモリは環境内の静電気に非常に敏感です。静電気はメモリ内のコンデンサの充電を妨げ、データの損失や回路の焼損を引き起こす可能性があります。したがって、ランダム アクセス メモリに触れる前に、まず金属のアースに手で触れる必要があります。
  アクセス速度
• 最新のランダム アクセス メモリは、アクセス遅延やその他の機械的動作を伴うものの、ほぼすべてのアクセス デバイスの中で最も高速な書き込みおよび読み取り速度を備えています。他のストレージデバイスと比較してください。
  リフレッシュ (再生成) が必要です
• 最新のランダム アクセス メモリは、データの保存にコンデンサを使用しています。完全に充電されたコンデンサは 1 (2 進数) を表し、充電されていないコンデンサは 0 を表します。コンデンサにはある程度の漏れがあるため、特別な処置を行わないと時間の経過とともにデータが徐々に失われます。リフレッシュとは、コンデンサの状態を定期的に読み取り、失われた電荷を補うために元の状態に従ってコンデンサを再充電することを意味します。リフレッシュの必要性は、ランダム アクセス メモリの揮発性の性質を正確に説明しています。
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