Phison は 100DWPD 超高耐久モデルを含む Pascari エンタープライズクラス SSD 製品をフル展示

8 月 8 日のこのサイトのニュースによると、サムスンは 2024 年のフラッシュ メモリ サミット (FMS) で、PM1753、BM1743、PM9D3a、PM9E1 などの多数の新しい SSD 製品をデモし、第 9 世代 QLCV-NAND、TLCV-NAND、およびCMM-D –DRAM、CMM-HTM、CMM-HPM、および CMM-BCXL テクノロジーが導入されました。 BM1743は最大128TBの容量、連続読み取り速度7.5GB/s、書き込み速度3.5GB/s、ランダム読み取り160万IOPS、書き込み45,000IOPSのQLCフラッシュメモリを採用しています。 2.5 インチのフォーム ファクターと U.2 インターフェイスを備え、アイドル状態の消費電力は 4 W に削減され、その後の OTA アップデート後は、

8月7日の当サイトのニュースによると、PhisonはFMS2024サミットでPascariエンタープライズクラスのソリッドステートドライブ製品ラインをフルデモンストレーションした。この製品ラインは 5 つの主要カテゴリをカバーしており、さまざまなエンタープライズ レベルおよびデータセンター アプリケーションを対象としています。このサイトの簡単な紹介は次のとおりです: X シリーズ - 最高のパフォーマンス Phison の X シリーズ エンタープライズ クラス SSD は、「極端な書き込み要件に合わせて設計」されています。最初の X200 ファミリに加えて、Phison は最大容量 32TB 注 1 の 2 つの PCIe 4.0 製品、X100P と X100E、それぞれ 1DWPD と 3DWPD も発売しました。 X100Pも

この Web サイトは 7 月 22 日、ICEDOCK が今月 19 日に ExpressSlotMB204MP-B 4 ベイ M.2 ソリッド ステート ドライブ抽出ボックスを発売したと報告しました。抽出ボックスはPCIeAICアドオンカードの形状を採用し、PCIe6Pin補助電源を必要とし、3次元寸法は204.5×21.59×126.9(mm)で、PCIe5.0プロトコルをサポートし、16GB/sのPCIe5を提供できます。各ソリッド ステート ドライブの .0×4 フルスピード帯域幅。 Esidak ExpressSlotMB204MP-B SSD 抽出ボックスは、M.22230/2242/2260/2280 SSD と互換性があります。ただし、これらの SSD の各側面の厚さは 1.5 mm を超えてはなりません。

8月7日の当サイトのニュースによると、ファイソンはFMS2024サミットで初めて新しいコンシューマーグレードのPCIe4.0マスターコントロールPS5029-E29Tをデモンストレーションし、QLCフラッシュメモリを搭載したエンタープライズクラスのソリッドステートドライブPascariD200Vを発売したとのこと。 。 Phison氏は、PS5029-E29Tは最新のNANDフラッシュメモリ技術向けに最適化されたPCIe4.0×4 SSDマスターコントローラーであり、「新たなSSDの電力効率と性能基準を確立することを目指している」と述べた。 E29Tは、TSMCの12nmプロセスに基づくDRAMレス設計を採用し、ARM Cortex R5 CPUコアを搭載し、4つのフラッシュメモリチャネルを備え、16CEをサポートし、3600MT/sのフラッシュメモリインターフェイスレートと互換性があり、最大容量は8TBです。パフォーマンス

6 月 18 日のこのサイトのニュースによると、サムスン セミコンダクターは最近、最新の QLC フラッシュ メモリ (v7) を搭載した次世代データセンター グレードのソリッド ステート ドライブ BM1743 をテクノロジー ブログで紹介しました。 ▲Samsung QLCデータセンターグレードのソリッドステートドライブBM1743 4月のTrendForceによると、QLCデータセンターグレードのソリッドステートドライブの分野で、SamsungとSK Hynixの子会社であるSolidigmだけが企業向け顧客検証に合格したという。その時。前世代の v5QLCV-NAND (このサイトの注: Samsung v6V-NAND には QLC 製品がありません) と比較して、Samsung v7QLCV-NAND フラッシュ メモリは積層数がほぼ 2 倍になり、記憶密度も大幅に向上しました。同時に、v7QLCV-NAND の滑らかさ

6月21日の当サイトのニュースによると、企業規模の拡大に伴い、日々生成されるデータの量も増加しており、そのデータのバックアップや管理がますます困難になるという。同時に、生成 AI の導入によりこの問題はさらに悪化し、従来のストレージ方法に大きな課題をもたらしています。実際、128TBのソリッドステートドライブは長い間開発されてきました。たとえば、Huaweiは128TB SSDを開発していると以前に発表しましたが、この製品はExabyteレベルのOceanStor A800シリーズの一部としてのみ入手可能であり、提供されていません。 2025 年まで利用可能になる予定です。今年初めの CES2024 展示会で、Phison は企業向けの X2 シリーズ SSD プラットフォームを含むさまざまな SSD と SSD コントローラーを展示しましたが、これは

8月9日のこのウェブサイトのニュースによると、SKハイニックスが現地時間昨日発行したプレスリリースによると、同社はFMS2024サミットでまだ正式にリリースされていないUSF4.1ユニバーサルフラッシュメモリを含む一連の新しいストレージ製品をデモしたという。仕様。 JEDEC Solid State Technology Associationの公式Webサイトによると、現在発表されている最新のUFS仕様は2022年8月のUFS4.0です。 UFS4.0 では、各デバイスの理論上のインターフェイス速度が最大 46.4Gbps と規定されており、USF4.1 では伝送速度のさらなる向上が期待されています。 ▲JEDECUFS仕様ページ SK Hynixは、それぞれ321層積層型V91TbTLCNANDフラッシュメモリをベースにした、それぞれ512GBと1TBの容量を持つ2つのUFS4.1汎用フラッシュメモリをデモしました。

7月15日の当サイトのニュースによると、WeChatの公開アカウントChannelGateによると、キングストンは新世代のエントリーレベルNVMeソリッドステートドライブシリーズNV3を8月に発売する予定だという。 Kingston NV3 は、既存製品 NV2 と同じ PCIe4.0×4 仕様を引き続き使用し、シーケンシャル読み取り速度は 6000MB/s に向上し、シーケンシャル書き込み速度も 5000MB/s に達し、3500 よりも大幅に高速になります。 NV2の/2800MB/秒。 NV3 ソリッド ステート ドライブは、NV2 に登場した 250GB バージョンを廃止し、500GB、1TB、2TB、4TB の 4 つの容量ポイントをカバーします。このサイトは、NV3 のパラメーターが、2024 台北国際コンピューター ショーでキングストンが以前展示した KentingBay の「KentingBay」に似ていることに気づきました。