Le projet avancé d'emballage, de test et de fabrication au niveau des tranches de Baiwei Storage a atterri au lac Songshan, à Dongguan, et a lancé la mémoire flash UFS 3.1

Selon les informations de ce site Web du 1er décembre, le projet avancé de fabrication d'emballages et de tests au niveau des plaquettes de Shenzhen Baiwei Storage Technology Co., Ltd. a officiellement atterri dans la zone de développement industriel de haute technologie du lac Songshan de Dongguan, et la cérémonie de signature s'est déroulée avec succès dans la ville de Dongguan.

Selon les rapports, le packaging et les tests avancés au niveau des tranches sont un processus de fabrication de semi-conducteurs de milieu de gamme entre la fabrication de tranches frontales et les tests de packaging back-end, utilisant la photolithographie, la gravure, la galvanoplastie, le PVD, le CVD, le CMP, la bande, etc. . Processus de fabrication de plaquettes frontales pour réaliser le bumping, le recâblage (RDL), le fan-in (Fan-in), le fan-out (Fan-out), via le silicium via (TSV) et d'autres technologies de processus, non seulement peut le. la puce est directement emballée sur la plaquette, ce qui permet d'économiser de l'espace physique. Elle peut également intégrer plusieurs puces sur la même plaquette pour obtenir une intégration plus élevée.

Baiwei Storage a déclaré que la mise en œuvre de projets avancés d'emballage et de test au niveau des tranches aidera les produits de l'entreprise à atteindre une plus grande bande passante, une vitesse plus élevée, une intégration hétérogène plus flexible et une consommation d'énergie réduite, permettant ainsi l'électronique grand public mobile et les clients haut de gamme dans les domaines d'application. tels que le calcul intensif, les jeux, l'intelligence artificielle et l'Internet des objets.

Baiwei Storage a également révélé que la société maîtrisait

16 matrices laminées, des matrices ultra fines de 30 à 40 μm, une intégration hétérogène multi-puces et d'autres processus d'emballage avancés, ce qui a fourni de l'innovation et un volume à grande échelle pour les puces NAND et DRAM. et produits d'emballage SiP.

Shenzhen Baiwei Storage Technology Co., Ltd. a été créée en 2010 et se concentre sur la recherche et le développement, l'emballage, les tests et la fabrication de puces mémoire. L'entreprise a été reconnue comme une entreprise nationale de haute technologie et une nouvelle petite entreprise géante spéciale, et a reçu un investissement stratégique d'un grand fonds national

Selon des rapports précédents sur ce site, Baiwei a lancé la mémoire flash haute vitesse UFS 3.1 , avec une vitesse d'écriture allant jusqu'à 1 800 Mo/s, soit plus de 4 fois celle de la génération précédente de stockage flash à usage général,

vitesse de lecture jusqu'à 2 100 Mo/s, capacité jusqu'à 256 Go (512 Go, une capacité de 1 To sera lancée dans l'avenir), taille 11,5×13,0×1,0 mm, utilisé pour les produits phares des smartphones.

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