Nouvelles de ce site Web du 23 novembre, selon les médias coréens Business Korea, des initiés du marché ont révélé qu'à mesure que la Chine continentale augmente son soutien à l'industrie de la mémoire, de grands progrès ont été réalisés ces dernières années en termes de mémoire flash NAND, . L'écart technologique avec des entreprises leaders mondiales telles que Samsung et SK Hynix a été réduit à 2 ans.
L'initié de l'industrie a souligné : « Bien que la DRAM entretienne encore un écart technologique de plus de 5 ans, en raison des faibles barrières techniques de la NAND, les entreprises chinoises rattrapent rapidement leur retard grâce à un soutien fort et réduisent continuellement l'écart. Bien que la NAND Les produits des entreprises chinoises sont en concurrence sur le marché. Il existe encore quelques lacunes en termes de force, mais cela a évidemment accéléré le rythme du rattrapage.
Le rapport mentionne spécifiquement Yangtze Memory. La société a officiellement lancé la puce de mémoire flash 3D TLC NAND de quatrième génération basée sur l'architecture Xtacking 3.0 (Xtacking 3.0) lors du Flash Memory Summit (FMS) 2022, nommée X3-9070.
Après que Yangtze Memory ait annoncé la production en série de 176 à 232 couches, elle a rencontré de nombreux doutes de la part du monde extérieur. Cependant, il a fallu moins d'un an à l'entreprise pour produire en série avec succès le X3-9070. Le SSD de la série TiPlus7100 n'est pas seulement utilisé dans le SSD CC700 de 2 To de Hikvision, il s'agit également de la première solution de mémoire flash NAND 3D de plus de 200 couches à entrer sur le marché de détail, devant Samsung, Micron, SK Hynix et d'autres fabricants.
Le rapport souligne également qu'à mesure que la miniaturisation des circuits semi-conducteurs approche de ses limites, les entreprises chinoises saisissent l'opportunité du packaging avancé (Efficient packaging) pour réduire davantage l'écart technologique.
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