Samsung développe une DRAM LLW pour l'IA côté terminal et les futurs casques XR

Compile/VR Gyro

Selon des informations précédentes, SK Hynix coopère avec Vision Pro pour fournir exclusivement des puces de mémoire DRAM. Cette puce combinée à la puce R1 peut réaliser un traitement vidéo haute définition à grande vitesse en temps réel

Selon les dernières nouvelles, Samsung Electronics développe une DRAM à faible latence Wide IO (LLW) et prévoit de démarrer la production de masse à la fin de l'année prochaine

Schéma IA côté terminal, source : Internet

La puce mémoire actuellement courante pour les appareils électroniques mobiles est la LPDDR, tandis que la DRAM LLW augmente la bande passante en élargissant le chemin d'entrée/sortie (E/S). La bande passante étant directement proportionnelle à la vitesse de transmission, ce type de DRAM peut encore améliorer l'efficacité du traitement des données générées par les appareils en temps réel

Selon notre compréhension, la DRAM LLW peut non seulement être utilisée dans les équipements terminaux XR de nouvelle génération, mais peut également être utilisée dans les produits équipés d'une IA côté terminal. Contrairement à l'IA cloud, l'IA côté terminal doit exécuter des centaines de millions d'instructions directement sur l'appareil. La DRAM utilisée pour améliorer le calcul auxiliaire est donc particulièrement importante pour traiter rapidement de grandes quantités de données sans consommer trop d'énergie

Par ailleurs, Samsung Electronics développe des algorithmes légers d'IA sur appareil depuis 2020 et les applique aux systèmes sur puces (SoC), aux mémoires et aux capteurs, ce qui peut renforcer sa concurrence dans le domaine des semi-conducteurs d'IA sur appareil. L’algorithme sera utilisé pour la première fois dans le modèle d’IA générative « Gaussian » développé en interne par Samsung et devrait occuper pleinement le marché l’année prochaine.

Il n'est pas nécessaire de changer le sens original, le contenu qui doit être réécrit est : Source : Business Korea

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