Quel composant électronique est l'igbt ?

igbt est un composant électronique à transistor bipolaire à grille isolée ; igbt est un dispositif semi-conducteur de puissance composite entièrement contrôlé, composé d'un transistor bipolaire et d'un transistor à effet de champ à grille isolée, et présente à la fois une impédance d'entrée élevée et une faible conduction. à la fois chute de tension et chute de pression, le module igbt présente les caractéristiques d'économie d'énergie, d'installation et de maintenance pratiques et de dissipation thermique stable.

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Quel composant électronique est l'igbt

IGBT est un composant électronique de transistor bipolaire à grille isolée

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), transistor bipolaire à grille isolée, est un (transistor à jonction bipolaire, BJT) bipolaire Une tension composite entièrement contrôlée dispositif à semi-conducteur de puissance composé d'une triode et d'un transistor à effet de champ à grille isolée (Metal Oxide Semiconductor, MOS) et d'un transistor à semi-effet de champ à oxyde métallique (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET) Il présente les avantages d'impédance d'entrée élevée et de faible chute de tension de conduction du transistor de puissance (Giant Transistor, GTR). La tension de saturation GTR est réduite, la densité de transport de courant est grande, mais le courant de commande est important ; la puissance de commande du MOSFET est faible, la vitesse de commutation est rapide, mais la chute de tension de conduction est importante et la densité de transport de courant est faible. L'IGBT combine les avantages des deux dispositifs ci-dessus, avec une faible puissance motrice et une tension de saturation réduite. Il est très approprié pour une utilisation dans les systèmes de conversion avec des tensions CC de 600 V et plus, tels que les moteurs à courant alternatif, les convertisseurs de fréquence, les alimentations à découpage, les circuits d'éclairage, les entraînements de traction et d'autres domaines.

Les modules IGBT ont les caractéristiques d'une économie d'énergie, d'une installation et d'une maintenance faciles et d'une dissipation thermique stable. Actuellement, la plupart des produits modulaires vendus sur le marché sont de tels produits modulaires. De manière générale, l'IGBT fait également référence aux modules IGBT. De concepts tels que l'économie d'énergie et la protection de l'environnement, ce type de produits modulaires deviendra de plus en plus courant sur le marché.

IGBT est le dispositif de base pour la conversion et la transmission d'énergie, communément appelé « CPU » des appareils électroniques de puissance. En tant qu'industrie émergente stratégique nationale, il est largement utilisé dans le transport ferroviaire, les réseaux intelligents, l'aérospatiale, les véhicules électriques et les nouvelles énergies. Équipement et autres domaines.

La structure est la suivante :

Sur la gauche se trouve une structure de transistor bipolaire à grille isolée de type à amélioration de canal N. La région N+ est appelée la région source, et l'électrode qui y est attachée est appelée la région source. source (c'est-à-dire émetteur) E). La base N est appelée la région de drain. La zone de contrôle de l'appareil est la zone de porte et l'électrode qui y est attachée est appelée la porte (c'est-à-dire la porte G). Un canal se forme à proximité de la limite de la porte. La région de type P (incluant les régions P+ et P-) entre les pôles C et E (le canal est formé dans cette région) est appelée région de sous-canal. La région P+ de l'autre côté de la région de drain est appelée région d'injection de drain (injecteur de drain). C'est une région fonctionnelle unique de l'IGBT. Avec la région de drain et la région de sous-canal, elle forme un transistor bipolaire PNP et fonctionne. en tant qu'émetteur. Le drain injecte des trous pour effectuer une modulation conductrice afin de réduire la tension à l'état passant de l'appareil. L'électrode fixée à la région d'injection du drain est appelée drain (c'est-à-dire collecteur C).

La fonction de commutation de l'IGBT est de former un canal en appliquant une tension de grille directe, qui fournit un courant de base au transistor PNP (à l'origine NPN) pour allumer l'IGBT. Au contraire, l'ajout d'une tension de grille inverse élimine le canal, coupe le courant de base et désactive l'IGBT. La méthode de pilotage de l'IGBT est fondamentalement la même que celle du MOSFET. Il suffit de contrôler le MOSFET à canal N du pôle d'entrée, il présente donc des caractéristiques d'impédance d'entrée élevées. Une fois le canal MOSFET formé, des trous (porteurs mineurs) sont injectés de la base P+ dans la couche N- pour moduler la conductance de la couche N- et réduire la résistance de la couche N-, de sorte que l'IGBT ait également une basse tension. à haute tension.

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