Pour augmenter la capacité de production de DRAM de 1 milliard de nm afin de répondre à la demande de mémoire HBM3E, il est rapporté que SK Hynix met à niveau son usine de fabrication de plaquettes M16

Selon les informations de ce site du 17 juin, selon le média coréen The Elec, SK Hynix prévoit d'augmenter considérablement sa capacité de production de mémoire DRAM de processus de 1 milliard de nm pour répondre à la demande de mémoire HBM3E.

La mémoire HBM consomme beaucoup plus de puces DRAM que la mémoire standard, donc l'expansion supplémentaire par SK Hynix de la capacité de production de DRAM de processus de 1 milliard de nm contribuera à atténuer dans une certaine mesure la pénurie actuelle de mémoire HBM.

SK Hynix vise à augmenter la production de plaquettes mémoire de 1 milliard de nm à 90 000 pièces d'ici la fin de cette année, et à augmenter encore la production à 140 000 à 150 000 pièces au premier semestre de l'année prochaine.

À cette fin, SK Hynix prévoit de mettre à niveau son usine de fabrication de plaquettes de mémoire M16 à Icheon, dans la province de Gyeonggi, vers le procédé 1 milliard de nm.

M16 produit actuellement 1 an de mémoire DRAM. Un passage complet au 1 milliard de nm devrait entraîner une baisse de la capacité de production de SK Hynix sur un an nm à 50 000 plaquettes par mois, contre 120 000 actuellement.

Les médias coréens ont cité des sources de l'industrie des équipements de semi-conducteurs disant que SK Hynix a présenté des exigences pour le déplacement et la modification des équipements de l'usine de fabrication de plaquettes M16, et prévoit d'introduire uniquement les équipements nécessaires de dépôt de noyau, de photolithographie et de gravure.

Les personnes concernées ont déclaré que l'investissement supplémentaire de SK Hynix est toujours affecté par la période creuse précédente de l'industrie du stockage, Le processus décisionnel global est très prudent, mais la croissance actuelle des commandes associées a dépassé les attentes initiales des équipements en amont. fabricants.

Ce site a rapporté en avril que SK Hynix prévoyait d'achever la construction de l'usine de mémoire DRAM M15X en novembre 2025. Les médias coréens ont mentionné que les commandes d'équipements associés devraient commencer début 2025

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