Samsung Electronics : la mise à niveau du processus de mémoire eMRAM progresse comme prévu et le développement de la version 8 nm est pratiquement terminé

Selon les informations de ce site du 31 mai, les représentants de Samsung Electronics ont déclaré hier lors du "Séminaire AI-PIM" en Corée du Sud qu'ils faisaient progresser progressivement le processus de mise à niveau de la mémoire eMRAM comme prévu. À l'heure actuelle, le développement technologique de l'eMRAM 8 nm est en cours. a été pratiquement achevé.

En tant que nouveau type de mémoire, la MRAM est basée sur des principes magnétiques et est non volatile. Elle n'a pas besoin de rafraîchir constamment les données comme la mémoire DRAM et est plus économe en énergie et plus efficace. En même temps, l'écriture ; la vitesse de la MRAM est 1 000 fois supérieure à celle de la NAND, prenant en charge les applications nécessitant des taux d'écriture plus élevés.

eMRAM est une MRAM pour le domaine embarqué.

Selon les rapports de ce site en 2023, Samsung Electronics a déclaré à l'époque qu'il prévoyait de produire en masse de l'eMRAM de 14 nm en 2024 ; de produire en masse de l'eMRAM de 8 nm en 2026 et qu'il irait encore plus loin d'ici 2027 pour atteindre la production en masse du processus de 5 nm ; eMRAM. Actuellement, Samsung Electronics

, et le développement de l'eMRAM 8 nm est également pratiquement terminé. Il prévoit toujours de lancer l'eMRAM 5 nm en 2027.

Samsung Electronics estime que la demande d'eMRAM dans le domaine automobile continuera de croître à l'avenir. Ses produits ont actuellement une résistance à la température de 150 ~ 160 ℃, ce qui est suffisant pour répondre aux exigences strictes de l'industrie automobile en matière de semi-conducteurs.

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