Es wird berichtet, dass Samsung Electronics im Voraus ein Entwicklungsteam für die 1-dnm-DRAM-Speichertechnologie eingerichtet hat, um seine Vorteile wiederherzustellen.

Laut Nachrichten dieser Website vom 9. Mai zitierte das koreanische Medium Sedaily Branchenquellen mit den Worten, dass Samsung Electronics kürzlich beschlossen habe, ein Technologieentwicklungsteam für 1-dnm-DRAM-Speicher zu bilden.

Der neueste Prozess in der DRAM-Speicherindustrie ist der Prozess der fünften Generation der 10+-nm-Serie, der 1 Mrd wird im dritten Quartal dieses Jahres auf den Markt kommen. Es wird nächstes Jahr in die Massenproduktion gehen.

Wenn Samsung Electronics jede Generation von DRAM-Prozessen entwickelt, bildet es normalerweise erst in der PA-Phase (Prozessarchitektur) kurz vor der Massenproduktion ein umfassendes Team aus Halbleiter- und Prozessingenieuren. Die Hauptaufgabe dieses Teams besteht darin, Prozessparameter zu optimieren und anzupassen, um die Chipleistung und -zuverlässigkeit zu verbessern. Gleichzeitig sind sie auch dafür verantwortlich, verschiedene Probleme und Probleme zu lösen, die während des Herstellungsprozesses auftreten, um sicherzustellen, dass die Produkte pünktlich auf den Markt geliefert werden können.

Auf dem 1dnm-Knoten wurde das Team ein bis zwei Jahre zuvor einberufen, und die aktuelle Größe des Teams beträgt etwa einige Hundert Personen.

Im Vergleich zum aktuellen Prozess wird der 1-dnm-Prozess den Umfang der EUV-Lithographie erhöhen, was ihn schwieriger macht. Samsung Electronics hat im Vorfeld ein 1dnm-DRAM-Technologie-Entwicklungsteam gegründet, um die Vorbereitungen für die Massenproduktion zu beschleunigen und den Prozessoptimierungszyklus zu verkürzen.

Seit 2020 ist es für Samsung Electronics schwierig, seinen Vorsprung in der DRAM-Speichertechnologie zu behaupten:

Beim 1anm-Knoten hat Micron die Führung in der Massenproduktion übernommen, die drei Unternehmen haben ungefähr die gleiche Massenproduktionszeit; und beim kommenden 1cnm-Knoten wird SK Hynix voraussichtlich die Führung übernehmen.

Auf der Produktseite hinkt Samsung Electronics aufgrund der vorherigen Fehlentscheidung, das Forschungs- und Entwicklungsteam für HBM-Speicher aufzulösen, derzeit der Konkurrenz von HBM3 (E)-Speichern hinterher. Samsung Electronics hofft, den aktuellen Rückgang zu stoppen, seinen Vorsprung in der Speichertechnologie wiederherzustellen und die Geschäftsentwicklung von HBM durch DRAM-Technologie-Upgrades zu fördern, indem es die Personalinvestitionen in die 1-dnm-DRAM-Entwicklung im Voraus erhöht.

Das obige ist der detaillierte Inhalt vonEs wird berichtet, dass Samsung Electronics im Voraus ein Entwicklungsteam für die 1-dnm-DRAM-Speichertechnologie eingerichtet hat, um seine Vorteile wiederherzustellen.. Für weitere Informationen folgen Sie bitte anderen verwandten Artikeln auf der PHP chinesischen Website!