Die Auswirkungen der KI-Welle sind offensichtlich. TrendForce hat seine Prognose für Preiserhöhungen bei DRAM-Speicher und NAND-Flash-Speicher in diesem Quartal nach oben korrigiert.

Laut dem Umfragebericht von TrendForce hat die KI-Welle erhebliche Auswirkungen auf die Märkte für DRAM-Speicher und NAND-Flash-Speicher. In den Nachrichten dieser Website vom 7. Mai sagte TrendForce heute in seinem neuesten Forschungsbericht, dass die Agentur die Vertragspreiserhöhungen für zwei Arten von Speicherprodukten in diesem Quartal erhöht habe.

Konkret schätzte TrendForce ursprünglich, dass der DRAM-Speichervertragspreis im zweiten Quartal 2024 um 3~8 % steigen wird, und schätzt ihn nun auf 13~18 %;

In Bezug auf NAND-Flash-Speicher beträgt die ursprüngliche Schätzung dass der Preis um 13 bis 18 % steigen wird, und der neue Es wird auf 15 bis 20 % geschätzt, und nur eMMC/UFS weist eine geringere Wachstumsrate von 10 % auf.

TrendForce sagte, dass die Agentur ursprünglich erwartet hatte, dass nach zwei oder drei aufeinanderfolgenden Quartalen mit Preiserhöhungen die Nachfrageseite von DRAM-Speicher und NAND-Flash-Speicher nicht bereit sein wird, signifikante Preise zu akzeptieren erhöht sich.

Aber Ende April schlossen die Speicherunternehmen die erste Runde der Vertragspreisverhandlungen nach dem Erdbeben in Taiwan ab, und der Anstieg war größer als erwartet. Der Grund dafür ist, dass neben der Absicht des Käufers, den Preis des vorhandenen Lagerbestands zu stützen, die größere Auswirkung darin besteht, dass der „KI-Wahn psychologische Veränderungen sowohl auf der Angebots- als auch auf der Nachfrageseite der Lagerbranche mit sich gebracht hat“. Auf dem DRAM-Markt befürchten Speicherhersteller, dass die Erhöhung der HBM-Speicherproduktionskapazität das Angebot an herkömmlichem Speicher weiter verdrängen wird:

Laut einem früheren Bericht auf dieser Website gab Micron an, dass der Wafervolumenverbrauch von HBM3E-Speicher ist dreimal so hoch wie bei herkömmlichem DDR5-Speicher. Dem Bericht zufolge werden bis Ende 2024 etwa 60 % der gesamten DRAM-Produktionskapazität von Samsung Electronics im 1α-nm-Prozess durch HBM3E-Speicher belegt sein.

Nach der Bewertung wandte sich die Nachfrageseite der

, um die Angebotsspannung zu bewältigen, die durch die Steigerung der HBM-Speicherproduktion ab dem dritten Quartal verursacht wurde. Bei NAND-Flash-Speicherprodukten ist Energieeinsparung zu einer Priorität für KI-Inferenzserver geworden, und nordamerikanische Cloud-Service-Anbieter weiten ihre Einführung von QLC-Solid-State-Laufwerken der Enterprise-Klasse aus. Der Lagerbestand an Flash-Speicherprodukten hat sich beschleunigt. Einige Anbieter sind vor diesem Hintergrund zurückhaltend geworden.

Allerdings wurde im Forschungsbericht auch erwähnt, dass die Investitionsausgaben der Speicherhersteller für Nicht-HBM-Speicherkapazitäten aufgrund der Ungewissheit über die Erholung der Nachfrage nach Konsumgütern immer noch eher konservativ sind, insbesondere für DRAM-Flash-Speicher, der immer noch auf dem neuesten Stand ist Break-Even-Punkt.

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