Intel wird in diesem Jahr das erste Unternehmen sein, das High-NA-EUV-Lithografiemaschinen der nächsten Generation einführt

Neuigkeiten vom 2. Oktober von dieser Website: Intel gab letzte Woche bekannt, dass das Unternehmen in seiner 18,5 Milliarden US-Dollar teuren irischen Fabrik mit der Massenproduktion mit EUV-Lithographiemaschinen begonnen habe, und nannte dies einen „Meilenstein“.

Ann Kelleher, General Manager für Technologieentwicklung bei Intel, sagte, dass Intel dieses Jahr zum ersten Mal die Einführung einer EUV-Lithographiemaschine mit hoher numerischer Apertur (High-NA) der nächsten Generation plant. Zuvor hatte Intel erklärt, dass die High-NA-Technologie nur für die Geräteentwicklung und -verifizierung verwendet wird, und plant, sie nach dem 18A-Knoten offiziell in Produktion zu nehmen. Das amerikanische Unternehmen sagte, dass dies mit der High-NA-EUV-Lithographiemaschine theoretisch möglich sei implementiert auf Intel Es spielt eine Schlüsselrolle auf dem Weg zu „vier Jahren und fünf Generationen Handwerkskunst“.

Ann Kelleher sagte, dass sie derzeit auf dem richtigen Weg sind, dieses Ziel zu erreichen, da zwei Herstellungsprozesse abgeschlossen sind und der dritte Prozess „schnell kommt“, und die letzten beiden Prozesse haben sehr gute Fortschritte gemacht.

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Kelleher sagte, dass Intel damit rechnet, noch in diesem Jahr die erste Charge extremer Ultraviolett-Lithografiemaschinen mit hoher numerischer Apertur (High-NA EUV) in Oregon zu erhalten, und dass Intel der erste Chiphersteller sein wird, der diese Ausrüstung erhält.

ASML sagte das Eine High-NA-EUV-Ausrüstung ist etwa so groß wie ein LKW, und jede Ausrüstung kostet mehr als 150 Millionen US-Dollar (Anmerkung auf dieser Website: derzeit etwa 1,095 Milliarden Yuan). Sie kann den Bedarf verschiedener Chiphersteller decken und in der EU eingesetzt werden In den nächsten zehn Jahren werden im Laufe des Jahres kleinere, fortschrittlichere Chips hergestellt.

Derzeit verwenden die fortschrittlichsten Chips Prozesse auf 4/5-Nanometer-Ebene. In der zweiten Jahreshälfte werden Samsung und TSMC auch die 3-nm-Technologie in Serie produzieren können. Für Twinscan NXE:3400C und ähnliche Systeme mit ASML-EUV-Lithographietechnologie verfügen sie normalerweise über eine Optik mit 0,33 NA (numerische Apertur), die eine Auflösung von 13 nm liefern kann 6-nm-Knoten (36 nm bis 38 nm) und 5 nm (30 nm bis 32 nm). Mit dem Aufkommen von Abständen unter 30 nm (Knoten über 5 nm) kann jedoch eine Doppelbelichtungstechnologie erforderlich sein, um eine Auflösung von 13 nm zu erreichen, die in den nächsten Jahren zur Mainstream-Methode werden wird

Für die Post-3-nm-Ära, ASML und seine Zusammenarbeit Die Partner entwickeln eine neue EUV-Lithographiemaschine – die Twinscan EXE:5000-Serie. Diese Maschinenserie wird über ein 0,55-NA-Objektiv (hohe NA) mit einer Auflösung von 8 nm verfügen, wodurch die Anzahl der Prozesse am 3-nm-Knoten und darüber minimiert wird. , Kosten senken und Ertrag steigern.

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