Es wird berichtet, dass der Samsung Electronics V9 QLC NAND-Flash-Speicher noch keine Lizenz für die Massenproduktion erhalten hat, was sich auf die Fabrikplanung für Pyeongtaek P4 auswirkt

Laut Nachrichten dieser Website vom 31. Juli berichteten die koreanischen Medien ZDNet Korea, dass die QLC-Version des V9 NAND-Flash-Speichers von Samsung Electronics noch keine Massenproduktionslizenz erhalten hat, was sich auf die Planung für den Bau der Produktionslinie der P4-Fabrik in Pyeongtaek ausgewirkt hat. Samsung Electronics gab im April dieses Jahres bekannt, dass die TLC-Version seines V9-NAND-Flash-Speichers mit 1 TB Kapazität die Massenproduktion erreicht hat und die entsprechende QLC-Version in der zweiten Hälfte dieses Jahres in die Massenproduktion gehen wird. Bisher hat Samsung Electronics jedoch keine PRA-Lizenz (Hinweis auf dieser Website: sollte sich auf „Production Readiness Approval“ beziehen) für die Massenproduktion von V9-QLC-NAND-Flash-Speichern ausgestellt. QLC-Flash-Speicher mit höherer Kapazität und geringeren Kosten sind derzeit ein Hotspot für den Speicherbedarf von KI-Inferenzservern. Die unklare Zukunft der Star-Produkte hat bei Samsung Electronics zu unterschiedlichen Meinungen darüber geführt, ob die erste Phase der Pyeongtaek P4-Fabrik vollständig für die NAND-Produktion genutzt werden soll.

▲ Samsung Electronics Pyeongtaek Park Nach den bisherigen Plänen von Samsung Electronics wird die P4-Fabrik zu einem umfassenden Halbleiterproduktionszentrum. Es umfasst vier Stufen und kann unter anderem Logik, NAND, DRAM und andere Produkte herstellen Die erste Phase der Fabrik dient der NAND-Produktion, die zweite Phase dient der Logikgießerei und die dritte und vierte Phase dienen der DRAM-Herstellung.
Aufgrund der unzureichenden Anzahl an Wafer-Foundry-Aufträgen und der boomenden Nachfrage nach DRAM-Speicherprodukten von HBM hat Samsung Electronics jedoch seinen Investitionsplan für die Fabrik Pyeongtaek P4 in der ersten Jahreshälfte angepasst und zunächst eine DRAM-Speicher-Produktionslinie gebaut Verzögerung beim Bau von Logikgießereien.
Samsung Electronics verfügt derzeit in der ersten Phase seines Werks Pyeongtaek P4 über eine NAND-Produktionskapazität von 10.000 Wafern pro Monat. Das Unternehmen hat zuvor das Ziel vorgeschlagen, die monatliche Waferproduktion bis zum nächsten Jahr auf 45.000 Wafer zu steigern.
V9 QLC NAND erhielt jedoch nicht rechtzeitig die Genehmigung für die Massenproduktion, was einige Insider zu der Annahme veranlasste, dass ein Teil der Baufläche in der ersten Phase für die DRAM-Produktion mit klarer Zukunft genutzt werden sollte.

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