本站4 月23 日消息，三星半导体今日宣布，其第九代V-NAND 1Tb TLC 产品开始量产，比三星上一代产品提高约50% 的位密度（bit density），通过通道孔蚀刻技术（channel hole etching）提高生产效率。
凭借当前三星最小的单元尺寸和最薄的叠层厚度，三星第九代V-NAND 的位密度比第八代V-NAND 提高了约50%。单元干扰避免和单元寿命延长等新技术特性的应用提高了产品的质量和可靠性，而消除虚通道孔则显着减少了存储单元的平面面积。
除此外，三星的“通道孔蚀刻”技术通过堆叠模具层来创建电子通路，可在双层结构中同时钻孔，达到三星最高的单元层数，从而最大限度地提高了制造生产率。随着单元层数的增加，穿透更多单元的能力变得至关重要，这就对更复杂的蚀刻技术提出了要求。
第九代V-NAND 配备了下一代NAND 闪存接口“Toggle 5.1”，可将数据输入/ 输出速度提高33%，最高可达每秒3.2 千兆位（Gbps）。除了这个新接口，三星还计划通过扩大对 PCIe 5.0 的支持来巩固其在高性能固态硬盘市场的地位。
与上一代产品相比，基于三星在低功耗设计方面取得的进步，第九代 V-NAND 的功耗也降低了 10%。
三星已于本月开始量产第九代V-NAND 1Tb TLC 产品，并将于今年下半年开始量产四层单元（QLC）第九代V-NAND。
韩媒Hankyung称，三星第9代V-NAND闪存的堆叠层数是290层。不过本站早前报道中提到，三星在学术会议上展示了280层堆叠的QLC闪存。
半导体行业观察机构 TechInsights 表示三星的第 10 代 V-NAND 闪存有望达到 430 层，进一步提升堆叠方面的优势。
以上是三星启动其首批第九代 V-NAND 闪存量产的详细内容。更多信息请关注PHP中文网其他相关文章！
