本站 3 月 21 日消息，意法半导体（STMicroelectronics）宣布与三星联合推出 18nm FD-SOI 工艺。该工艺支持嵌入式相变存储器（ePCM）。
FD-SOI是全耗尽型绝缘体上硅的简称，是一种平面半导体工艺技术，通过简单的制造步骤实现了出色的漏电流控制。
意法半导体表示，相较于其现在使用的 40nm eNVM 技术，采用 ePCM 的 18nm FD-SOI 工艺大幅提升了性能参数：其在能效上提升了 50%，数字密度上提升了 3 倍，同时可容纳更大的片上存储器，拥有更低的噪声系数。
在 3V 电压下，这项工艺能够提供多种模拟功能，比如电源管理和复位系统，这是在 20nm 制程以下唯一支持这些功能的技术。
同时，新的 18nm FD-SOI 工艺在抗高温、抗辐射等方面也有出色表现，可用于要求苛刻的工业应用。
意法半导体首款基于该制程的 STM32 MCU 将于下半年开始向选定的客户出样，并计划于 2025 年下半年量产。
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