本站 3 月 4 日消息,据韩媒 DealSite 报道,SK 海力士、三星电子今年针对 HBM 内存大幅扩产。不过 HBM 内存有着良率较低等问题,难以跟上 AI 市场相关需求。
作为 AI 半导体市场抢手货的 HBM 内存,其采用晶圆级封装(WLP):在基础晶圆上通过 TSV 硅通孔连接多层 DRAM 内存晶圆,其中一层 DRAM 出现问题就意味着整个 HBM 堆栈的报废。
以 8 层堆叠产品为例,如果每一次堆叠的良率均为 90%,那整体 HBM 堆栈的良率就仅有 43%,超一半 DRAM 被丢弃。而当 HBM 进入到 12 层乃至 16 层堆叠,良率则会进一步降低。
DealSite 表示,目前 HBM 内存整体良率在 65% 左右,明显低于传统内存产品,而由于 WLP 的性质,良率也难以达到 80% 乃至 90%。
另一方面,SK 海力士、三星两家在 HBM 内存中占主导地位的厂商,今年均大幅扩张产能。
据韩券商 Kiwoom Securities 估计,三星电子的 HBM 内存月产能预计将从去年第二季的 2.5 万片晶圆增加到今年第四季度的 15~17 万片;同期,SK 海力士的月产能预计将从 3.5 万片跃升至 12~14 万片。
不过相对 AI 市场对 HBM 内存需求,SK 海力士和三星的产能增幅仍显不足:根据本站近日报道,SK 海力士高管再次确认今年 HBM 产能配额已经售罄;另据韩媒 NEWSIS 去年末报道,三星也早已就今年产能完成了同大客户的谈判。
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