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三星宣布年内推出首款 256GB SD Express microSD 存储卡,读速可达 800MB/s

WBOY
发布: 2024-02-29 10:13:15
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本站 2 月 28 日消息,三星电子今日宣布,已开始向客户提供其 256GB SD Express microSD 存储卡样品,该款存储卡顺序读取速度最高可达 800MB/s。此外,1TB UHS-1 microSD 存储卡现已进入量产阶段。

三星宣布年内推出首款 256GB SD Express microSD 存储卡,读速可达 800MB/s

“来自移动计算和端侧人工智能应用的需求与日俱增,三星推出的这两款全新 microSD 卡为应对这一问题提供了有效解决方案。”三星电子品牌存储事业部全球副总裁 Hangu Sohn 表示,“尽管存储卡尺寸极小,但能够带来 SSD(固态硬盘)级别的强大性能和超大容量,帮助用户充分利用要求严格的现代和未来应用。”

三星首款 SD Express microSD 存储卡

三星推出了采用 SD Express 接口的全新 microSD 卡,号称“能够以小巧外形尺寸提供与 SSD 相媲美的性能”。

三星表示,传统 microSD 存储卡采用 UHS-1 接口,读取速度上限为 104MB/s,而 SD Express 系列产品的最大读取速度可达 985MB/s,但截至目前,SD Express microSD 存储卡尚未投入商用。

本站注:SD Express 是全新 SD 存储卡接口,支持 PCIe Gen3x1协议(基于 2019 年 2 月发布的 SD 7.1 规范),理论传输速度可达 985MB/s。

三星称其 SD Express microSD 存储卡的顺序读取速度可达 800MB/s,是 SATA SSD(最高 560MB/s)的 1.4 倍、传统 UHS-1 接口存储卡(最高 200MB/s)的 4 倍以上,能够在 PC 和移动设备等多种应用端得到更好的计算体验。

为确保 SD Express microSD 存储卡性能稳定、质量可靠,三星采用了动态散热保护(Dynamic Thermal Guard)技术,号称“即使长时间使用,也能确保存储卡温度始终处于理想水平”。

三星宣布年内推出首款 256GB SD Express microSD 存储卡,读速可达 800MB/s

1TB UHS-1 microSD 存储卡

三星在全新 1TB microSD 存储卡上堆叠了八层三星第 8 代 1Tb V-NAND,实现了大容量封装。全新 1TB microSD 存储卡已通过测试,号称具备防水、耐极端温度、防摔、防磨损、防 X 射线和防磁等六重防护特性。

256GB SD Express microSD 存储卡将于今年内推出,1TB UHS-1 microSD 存储卡预计将于今年第三季度投入市场。

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