本站 1 月 16 日消息，根据韩媒《首尔经济日报》报道，SK 海力士计划在 2024 年之前，完成对无锡 C2 工厂的改造，转换升级为第四代（1a）D-ram 工艺，该工艺达到 10nm 级别。
无锡工厂是SK hynix公司的核心生产基地，约占其D-RAM总产量的40%。该厂目前生产10纳米后期级别的第二代（1y）和第三代（1z）D-RAM，属于旧产品线。
据消息称，SK 海力士计划在无锡工厂完成第四代 D-RAM 的一部分工艺，并将晶圆运送到位于韩国总部利川园区内，经过 EUV 加工后再返还至无锡工厂。
由于第四代产品只有一个 D-RAM 层需要采用 EUV 工艺，该公司显然认为成本增加是值得的。
在2013年无锡工厂大火期间，该公司克服了D-RAM生产中断的困难，积累了丰富的经验。
关于无锡工厂的工艺转型，SK 海力士表示无法确认该公司具体的工厂运营计划。
以上是SK 海力士无锡工厂升级将推出第四代 DRAM产品的详细内容。更多信息请关注PHP中文网其他相关文章！
