本站 11 月 3 日消息，三星电子本周向投资者透露，近期将过渡和推进光刻技术，计划 2024 年下半年向市场推出采用第二代 3nm 工艺技术（SF3）以及量产版 4nm 工艺（SF4X）的产品。
该公司一份声明中写道：
我们打算在今年下半年开始批量生产第二代3纳米工艺和第四代4纳米工艺，用于高性能计算，以进一步提升我们的技术竞争力
随着移动需求的反弹和高性能计算（HPC）需求的持续增长，预计市场将出现增长趋势
本站注：三星即将推出的SF3工艺技术是对其现有SF3E生产节点的重大升级。根据目前公布的信息，该节点仅用于制造用于加密货币挖矿的小型芯片
三星声称，SF3 将提供更大的设计多功能性，可以在相同的单元类型中，为不同的全栅极 （GAA） 晶体管提供不同的纳米片通道宽度。
虽然三星没有直接比较 SF3 和 SF3E，但是他们表示 SF3 在相同功率和复杂度下有重大改进，比如性能提高了22%。此外，在相同频率和晶体管数量下，功耗降低了34%，逻辑面积也缩小了21%。需要注意的是，三星表示这些改进是相对于 SF4（4LPP、4nm 级、低功耗）的结果
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以上是三星有望在明年下半年量产下一代 3nm / 4nm 节点技术的详细内容。更多信息请关注PHP中文网其他相关文章！
