三星最近确认将其第五代HBM3E产品命名为“Shinebolt”，这是根据韩媒businesskorea的消息报道
韩国媒体称，三星已经开始向客户提供名为“Shinebolt”的样品，用于进行质量测试。该样品规格为8层24GB。此外，三星还计划很快完成12层36GB产品的开发
Shinebolt 的最大数据传输速度（带宽）约比 HBM3 高 50%，达 1.228TB / s，尽管三星的 HBM 开发和生产速度在某种程度上落后于 SK 海力士，但三星仍然计划重新夺回先进内存生产的领先地位。
HBM的关键在于每层之间的连接方式。三星一直使用热压缩非导电薄膜（TC-NCF）工艺，而SK海力士则采用质量回流成型底部填充（MR-MUF）工艺。然而，哪种工艺更好还需要市场来评判
由于三星在HBM的开发和生产速度上落后于SK海力士，因此他们开始重新制定战略，以夺回市场份额。目前，三星正在考虑加速开发HBM的“混合连接”工艺，以改变游戏规则
本站同时发现，三星内存业务总裁李正培此前已经表示：“我们目前正在生产HBM3，并且顺利开发下一代产品HBM3E，我们将进一步扩大HBM的生产以满足客户的需求。”
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