8月21日消息，今日据可靠消息称，韩国半导体制造商SK海力士宣布取得重大突破，成功研发出面向人工智能领域的高性能DRAM新产品HBM3E。该产品将为AI应用提供强大的数据处理能力，有望在未来的计算领域掀起一股新的浪潮。
HBM技术(High Bandwidth Memory)作为一种垂直连接多个DRAM芯片以提高数据处理速度的创新技术，已经不再陌生。而此次的HBM3E则是在前代产品HBM3的基础上进行了扩展和优化。据悉，HBM3E在速度方面展现出惊人的表现，每秒最高可处理1.15TB的数据，相当于仅需1秒即可完成230部全高清级电影的数据处理。
SK海力士表示，HBM3E的研发基于其丰富的HBM制造经验，以及在量产方面的成熟度。公司计划从明年上半年开始投入HBM3E的量产，这将进一步巩固其在面向人工智能领域存储器市场中的领先地位。
值得一提的是，HBM3E在数据处理速度方面有了突破，并且在散热性能方面进行了创新。SK海力士的技术团队采用了先进的MR-MUF技术，使散热性能相较上一代产品提高了10%。这项技术创新有助于确保芯片在高强度计算时的稳定运行
据小编了解，HBM3E产品还具备向后兼容性，这意味着在基于HBM3构建的系统中，无需进行额外的设计或结构修改，即可直接应用新产品，为客户带来更高的便利和灵活性。
在产业合作方面，全球知名半导体公司英伟达也对HBM3E的问世表示高度关注。英伟达Hyperscale和HPC部门副总裁伊恩・巴克表示，英伟达与SK海力士在HBM领域的合作历史悠久。他期待双方在HBM3E领域继续保持紧密的合作，共同推动新一代AI计算解决方案的发展。
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