本站 5 月 14 日消息，HBM负责人 Kim Gwi-wook 近日在官方公告中声称当前业界 HBM 技术已经到了新的水平，行业需求促使 SK海力士将加速开发过程，最早在 2026 年推出他们的 HBM4E内存，相关内存带宽将是HBM4 的1.4倍。
除了 HBM4E 外，据本站此前报道，有消息称SK海力士计划在2025年下半年推出采用12层DRAM堆叠的首批HBM4产品，而16层堆叠HBM稍晚于2026年推出。
HBM4 / HBM4E 的开发“加速过程”无疑显示了AI领域巨头对高性能内存的强劲需求，日益强大的AI处理器需要更高内存带宽的辅助。
《SK 海力士加速 HBM4 内存量产，目标 2025 下半年推出首批产品》
《SK 海力士和台积电签署谅解备忘录，目标 2026 年投产 HBM4》
以上是SK 海力士宣布最早 2026 年推出 HBM4E 内存，带宽为上代 1.4 倍的详细内容。更多信息请关注PHP中文网其他相关文章！
