本站 5 月 9 日消息，韓媒 Sedaily 引述業界消息人士的話稱，三星電子近日決定組建 1dnm DRAM 記憶體的技術開發團隊。
目前DRAM 記憶體產業的最新過程是10 nm 系列的第五代工藝，即1bnm;
三大記憶體廠商－ 三星電子、SK 海力士和美光的下一代DRAM製程1cnm 將於今年第三季至明年投入量產；
而1dnm 製程又在1cnm 之後，預計量產時間晚於2026 年。
三星電子在開發每代 DRAM 製程時，一般直到接近量產時的 PA（本站註：Process Architecture，製程架構）階段才會組成包含半導體和製程工程師的綜合團隊。這個團隊的主要任務是優化和調整製程參數，以提高晶片的效能和可靠性。同時，他們也負責解決製造過程中遇到的各種問題和難題，確保產品能夠準時交付市場。
而在 1dnm 節點上，團隊召集時間提早了 1~2 年，目前團隊的規模在數百人左右。
相較於目前的製程，1dnm 製程將提升 EUV 微影的用量，難度隨之加大。三星電子提前組成 1dnm DRAM 技術開發團隊早在加速量產準備過程中，縮短製程優化週期。
自2020 年來，三星電子難以在DRAM 記憶體技術上維持領先：
1anm 節點上，美光率先量產；來到1bnm，三家量產時間大致相當；而在即將到來的1cnm 節點，SK 海力士有望取得領先。
而在產品端，由於先前解散 HBM 記憶體研發團隊的錯誤決定，三星電子目前在 HBM3 (E) 記憶體的競爭中也處於落後地位。
三星電子希望透過提前加大在 1dnm DRAM 開發上的人力資源投入，止住目前的頹勢，重新建立起內存技術優勢，並透過 DRAM 的技術升級推動 HBM 業務發展。
以上是消息指出三星電子已提前組成 1dnm DRAM 記憶體技術開發團隊，目標重建優勢的詳細內容。更多資訊請關注PHP中文網其他相關文章！
