本站 3 月 21 日消息，意法半導體（STMicroelectronics）宣布與三星聯合推出 18nm FD-SOI 製程。此製程支援嵌入式相變記憶體（ePCM）。
FD-SOI是全耗盡型絕緣體上矽的簡稱，是一種平面半導體製程技術，透過簡單的製造步驟實現了出色的漏電流控制。
意法半導體表示，相較於其現在使用的40nm eNVM 技術，採用ePCM 的18nm FD-SOI 製程大幅提升了效能參數：其在能源效率上提升了50%，數位密度上提升了3 倍，同時可容納更大的晶片記憶體，擁有更低的雜訊係數。
在 3V 電壓下，這項製程能夠提供多種類比功能，例如電源管理和重設系統，這是在 20nm 製程以下唯一支援這些功能的技術。
同時，新的 18nm FD-SOI 製程在抗高溫、抗輻射等方面也有優異表現，可用於要求嚴苛的工業應用。
意法半導體首款基於該過程的 STM32 MCU 將於下半年開始向選定的客戶出樣，並計劃於 2025 年下半年量產。
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