1c 奈米世代內存競爭：三星計劃增加 EUV 使用，美光將引入鉬、釕材料

韓媒The Elec報告稱，三星和美光將在下一代DRAM記憶體中，即1c nm製程中引入更多新技術。這項舉措可望進一步提升記憶體效能和能源效率。三星和美光作為全球DRAM市場的主要領導者，其技術創新將推動整個產業的發展。這也意味著未來的記憶體產品將更加高效和強大。

本站註：1c nm 世代即第六個 10 nm 世代，美光也稱為 1γ nm 製程。目前最先進的記憶體為 1b nm 世代，三星稱其 1b nm 為 12nm 級製程。

分析機構TechInsights 高級副總裁Choi Jeong-dong 在近日的一場研討會上表示，美光將在1c nm 節點率先引入鉬（Mo，讀音mù）和釕（Ru，發音liǎo）。這兩種金屬將作為佈線材料，被用於記憶體的字線和位元線中。

鉬和釕的電阻相較於現在應用的鎢（W）更低，可進一步壓縮 DRAM 線寬。不過釕也存在著自身的問題：其在製程中會反應生成有毒的四氧化釕（RuO4），為維護工作帶來新的困擾。 Choi Jeong-dong 認為，三星和 SK 海力士將稍晚一至兩個世代引入這兩種金屬。

而在三星這邊，將進一步擴大 EUV 製程的應用。三星是三大儲存原廠中首先引入 EUV 的企業，並已將其應用至字線和位元線等層中，預計在 1c nm 中 EUV 應用將擴展至 8-9 層。對於美光，其也將在 1γ nm 節點首次導入 EUV 微影。

展望未來10nm 以下過程，Choi Jeong-dong 表示三大廠商均在研究3D DRAM 和4F² DRAM 等路線以實現進一步微縮，Neo Semiconductor 提出的X-DRAM 以及不採用電容器的1T DRAM 等也是可能方向。

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