本站 12 月 1 日消息，近日，深圳佰維存儲科技股份有限公司的晶圓級先進封測製造項目正式落地東莞松山湖高新技術產業開發區，簽約儀式在東莞市成功舉辦。
據介紹，晶圓級先進封測系介於前道晶圓製造與後道封裝測試之間的半導體製造中道工序，採用光刻、刻蝕、電鍍、PVD、CVD、 CMP、Strip 等前段晶圓製造工序，以實現凸塊（Bumping）、重佈線（RDL）、扇入（Fan-in）、扇出（Fan-out）、矽通孔（TSV）等製程技術， 不僅可以將晶片直接封裝在晶圓上，節省實體空間，還能夠將多個晶片整合在同一個晶圓上，實現更高的整合度。
佰維儲存表示，落地晶圓級先進封測專案有利於公司產品實現更大的頻寬、更高的速度、更靈活的異質整合以及更低的能耗，賦能移動消費性電子、高階超級運算、遊戲、人工智慧和物聯網等應用領域的客戶。
佰維儲存也透露，公司已掌握16 層疊Die、30~40μm 超薄Die、多晶片異構集成等先進封裝工藝，為NAND、DRAM 晶片和SiP 封裝產品的創新力及大規模量產提供支援。
深圳佰維儲存科技股份有限公司在2010年成立，專注於記憶體晶片的研發和封測製造。該公司被認定為國家級高新技術企業和專精特新小巨人企業，並獲得了國家大基金的戰略投資
據本站此前報道，佰維已推出UFS 3.1 高速閃存，寫入速度最高可達1800MB/s，是上一代通用快閃儲存的4 倍以上，讀取速度達2100MB/s，容量達256GB（未來將推出512GB、1TB 容量），尺寸為11.5× 13.0×1.0mm，旗艦智慧型手機產品。
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