本站11 月23 日消息，根據韓媒Business Korea 報道，市場內部人士透露，隨著中國大陸加大對記憶體產業的支持力度，過去幾年已經有了長足的進步，在NAND 快閃記憶體方面，和三星、SK 海力士等全球領導企業的技術差距縮短到2 年。
該業內人士指出：「雖然DRAM 依然保持5 年以上的技術差距，不過由於NAND 技術壁壘較低，中國企業在大力扶持下快速追趕，不斷縮小差距。中國企業的NAND 產品雖然在市場競爭力上仍有不足，但顯然加快了追趕速度」。
報告中特別提及了長江存儲，該公司在2022 年閃存峰會（FMS）上，正式發布了基於晶棧3.0（Xtacking 3.0）架構的第四代3D TLC NAND 閃存晶片，名為X3-9070。
長江儲存宣布從 176 層到 232 層量產之後，遭到了外界的諸多質疑，不過該公司花了不到 1 年的時間，成功量產 X3-9070。
TiPlus7100系列SSD不僅被用於海康威視的CC700 2TB SSD上，還是首個進入零售市場的200 層3D NAND快閃記憶體解決方案，領先三星、美光、SK海力士等廠商
報道中也指出，隨著半導體電路的小型化接近極限，中國企業正抓住先進封裝（Efficient packaging）這個機會，進一步縮小技術差距。
在半導體產業中，先進封裝被視為克服挑戰的關鍵，它主要是將多個晶片進行封裝，以提高性能
中國大陸在半導體封裝領域佔有第二大市場份額，本站引用市場研究公司IDC 的數據，去年長電科技、通富微電和華天科技三家公司進入全球前10 大半導體封裝（OSAT）公司，而韓國沒有一家公司出現在榜單上。
廣告聲明：本文中包含對外跳轉連結（包括但不限於超連結、二維碼、口令等形式），旨在提供更多信息，節省篩選時間，但僅供參考。請注意，本站的所有文章都遵循此聲明
以上是報告稱中韓 NAND 技術差距縮短至 2 年的詳細內容。更多資訊請關注PHP中文網其他相關文章！
