9月3日消息，三星電子近日宣布成功研發出全球首款32Gb(4GB)DDR5記憶體晶片，為業界帶來了重大突破。這款記憶體晶片的問世將為電腦技術和資料儲存領域帶來新的可能性。據悉，該內存晶片採用了高度先進的12奈米製造工藝，較之於三星1983年發布的4Kb容量內存產品，其容量已經實現了超過50萬倍的躍升。
在不久前的5月份，三星剛開始量產16Gb(2GB)容量的DDR5記憶體晶片，其傳輸頻率高達7200MT/s，為資料傳輸速度提供了強有力的支持。而這次發布的32Gb DDR5記憶體晶片繼續延續了高效的12奈米製造工藝，同時在容量上實現了進一步的突破。然而，三星並沒有揭露新記憶體晶片的具體傳輸頻率，這或許是為了保留一定的技術競爭優勢。
這款32Gb DDR5記憶體晶片的一大特點是其高密度設計，為打造更大記憶體容量奠定了堅實基礎。利用這項技術突破，只要8顆這種晶片，就可以建構出一條32GB的記憶體條。更引人注目的是，透過採用8-Hi 3DS堆疊技術，可以將8顆32Gb晶片整合在一起，再在一條內存上安裝32顆，從而實現驚人的1TB內存容量。這對於資料中心、科學計算等大記憶體需求場景來說，將是一項重要的技術突破。
據小編了解，三星計畫在年底開始量產這款32Gb DDR5記憶體晶片，這將進一步推動DDR5記憶體技術在市場中的應用和發展。此舉不僅有助於提升電腦系統的效能，也為因應不斷增長的資料處理需求提供了有力支持。未來，在支援12頻道記憶體的伺服器平台上，如AMD EPYC 9004，將有可能實現高達12TB的單路系統記憶體容量，這將為資料處理和應用開發帶來更加廣闊的前景。
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