本站9 月5 日消息，日本最大的半導體晶圓企業信越化學工業和從事ATM 及通信設備的OKI 公司日前宣布，其開發出了以低成本製造使用氮化鎵（GaN ）的功率半導體材料的技術。
據介紹，此技術可將製造成本降至傳統制法的十分之一以下。如果能夠量產，將有利於普及快速充電器等設備。
本站從官方新聞稿獲悉，信越化學工業和 OKI 開發的新技術可以在特有的 QST 基板上噴鎵系氣體，使晶體生長。信越化學工業的增厚晶體技術與 OKI 的接合技術結合，從基板上只揭下晶體。晶體放在其他基板上作為功率半導體的晶圓使用。
#信越化學工業表示，在GaN 基板上使GaN 晶體生長的製法不僅製造耗費時間，成品率還很差，成本高。 新制法可以高效製造晶體，可以降低 9 成成本。與在矽基板上使 GaN 晶體生長的製法相比，不需要基板與晶體之間的絕緣層。加上晶體的厚膜化，可以通 20 倍的電流。
信越化學工業透露，這項技術可以製造6 英寸晶圓，希望在2025 年增大到8 英寸，今後還考慮向半導體廠商銷售技術等業務模式。
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