5月26日消息，根據韓國媒體The Elec報道，三星公司近日成立了一支專業團隊，致力於開發一種名為4F² DRAM儲存單元結構的創新技術。這項技術可以在不改變製程節點的前提下，將晶片面積最高減少30%。
在過去的十年裡，DRAM產業曾嘗試商業化4F Square單元結構技術，但未能取得成功。然而，三星此次組成的專業團隊力求克服先前的難題，推動4F²結構的研發。
據小編了解，4F² DRAM儲存單元結構的設計是基於電晶體形成的源極(S)、閘極(G)和汲極(D)整套系統。在漏極(D)的上方安裝了一個用於儲存電荷的電容器，並且電晶體與水平排列的WL線和垂直排列的BL線相連。其中，WL線與閘極(G)相連，負責控制電晶體的開關;而BL線與源極(S)相連，負責讀取和寫入資料。
4F²技術最大的優勢是它高度整合化和節省晶片空間的能力。相較於現有的6F²級別，該技術可在不改變製程節點的情況下，將晶片面積最高減少30%。這對於提升晶片性能、實現更高容量的記憶體以及滿足不斷增長的市場需求具有重要意義。
三星公司的專業團隊將持續努力，加速4F² DRAM儲存單元結構的研發進程。一旦成功商業化，這項技術有望為DRAM產業帶來革命性的突破，推動記憶體技術的發展邁上新的階梯。我們將持續關注這一領域的最新動態。
以上是三星組成專業團隊致力於開發4F² DRAM儲存單元結構技術的詳細內容。更多資訊請關注PHP中文網其他相關文章！
