本站 8 月 12 日消息，韓媒 ETNews 報道稱，三星電子內部已確認在平澤 P4 工廠建設 1c nm DRAM 內存產線的投資計劃，該產線目標明年 6 月投入運營。平澤 P4 是一座綜合半導體生產中心，分為四期。在早前規劃中，一期為 NAND 快閃存，二期為邏輯代工，三期、四期為 DRAM 記憶體。三星已在 P4 一期導入 DRAM 生產設備，但擱置了第二期建設。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級內存工藝，各家的 1c nm（或對應的 1γ nm）產品目前均尚未正式發布。韓媒在報道中稱，三星電子計劃在今年底啟動 1c nm 記憶體生產。
以上是消息指出三星電子確認平澤 P4 廠 1c nm DRAM 記憶體產線投資，目標明年 6 月投運的詳細內容。更多資訊請關注PHP中文網其他相關文章！
