本站8 月8 日消息，比利時微電子研究中心imec 當地時間昨天宣布，在其與ASML 合作的High NA EUV 光刻實驗室首次成功利用High NA EUV 光刻機曝光了邏輯和DRAM 的圖案結構。在邏輯圖案方面，imec 成功圖案化了單次曝光隨機邏輯機構，實現了9.5nm 密集金屬線（本站註：對應19nm Pitch），將端到端間距尺寸降低至20nm 以下：
▲ 密集金屬線。圖源imec，下同不僅如此，imec 實現了中心間距30nm 的隨機通孔，展現了出色的圖案保真度和臨界尺寸一致性：
▲ 隨機通孔此外，imec透過High NA EUV 光刻機構建造了P22nm 間距的二維特徵，顯示了新一代光刻技術在二維佈線方面的潛力：
▲ 二維特徵而在DRAM領域，imec 成功利用單次曝光圖案化了整合SNLP（Storage Node Landing Pad）和位線外圍的DRAM 設計，展現了High NA EUV 減少曝光次數的能力：
▲ DRAM 設計imec 總裁兼執行長Luc Van den hove 表示：
這些結果證實了High NA EUV 光刻技術一直以來預測的分辨率能力，一次曝光即可實現20nm 以下間距的金屬層。
因此，High NA EUV 將對邏輯和記憶體技術的尺寸擴展起到關鍵作用，這正是將路線圖推向 "艾米時代" 的重要支柱之一。
這些早期演示之所以能夠實現，要歸功於 ASML-imec 聯合實驗室的建立，它使我們的合作夥伴能夠加速將 High NA 光刻技術引入製造領域。
以上是imec 首次成功利用 ASML High NA EUV 微影機實現邏輯、DRAM 結構圖案化的詳細內容。更多資訊請關注PHP中文網其他相關文章！
