本站7 月22 日消息，據外媒Tomshardware 報道，中國3D NAND 閃存製造商長江存儲，日前再次將美光告上法院，在美國加州北區指控美光侵犯了長江存儲的11 項專利，涉及3D NAND Flash 和DRAM 產品。長江儲存還要求法院命令美光停止在美國銷售侵權的儲存產品，並支付專利使用費。 長江儲存指控稱，美光的： 96 層（B27A） 128 層（B37R） 176 層（B47R）一些DDR5 SDRAM 產品（Y2BM 系列），侵害了長江儲存於美國提交的11 項專利或專利申請。 2023 年 11 月，長江儲存就曾在美起訴美光專利侵權，涉 8 項專利；2024 年 6 月，長江存放在美起訴美光資助的諮詢公司，指控其散佈虛假資訊。如今長江儲存再次“亮劍”，本站將跟進後續訴訟消息。
