本站5 月14 日消息，HBM負責人Kim Gwi-wook 近日在官方公告中聲稱當前業界HBM 技術已經到了新的水平，行業需求促使SK海力士將加速開發過程，最早在2026 年推出他們的HBM4E內存，相關內存頻寬將是HBM4 的1.4倍。
除了HBM4E 外，據本站先前報道，有消息稱SK海力士計劃在2025年下半年推出採用12層DRAM堆疊的首批HBM4產品，而16層堆疊HBM稍晚於2026年推出。
HBM4 / HBM4E 的開發「加速過程」無疑顯示了AI領域巨頭對高效能記憶體的強勁需求，日益強大的AI處理器需要更高記憶體頻寬的輔助。
《SK 海力士加速HBM4 內存量產，目標2025 下半年推出首批產品》
《SK 海力士和台積電簽署諒解備忘錄，目標2026 年投產HBM4》
以上是SK 海力士宣布最早 2026 年推出 HBM4E 內存，頻寬為上代 1.4 倍的詳細內容。更多資訊請關注PHP中文網其他相關文章！
