Merebut gelombang kecerdasan buatan, Samsung dan Micron meningkatkan perancangan pelan pengembangan HBM

IT House News pada 8 November: Dengan latar belakang kemerosotan dalam pasaran storan pengguna, teknologi memori jalur lebar tinggi (HBM) telah menjadi daya penggerak baharu Laporan terkini menunjukkan bahawa Samsung dan Micron sedang giat bersiap untuk mengembangkan HBM DRAM .

Sumber: Samsung

Menurut laporan terkini, Samsung Electronics telah membelanjakan 10.5 bilion won untuk memperoleh beberapa kilang dan peralatan Samsung Display di Cheonan, Korea Selatan, bagi mengembangkan kapasiti pengeluaran HBM. Selain itu, Samsung Electronics juga merancang untuk melabur 700 bilion hingga 1 trilion won dalam barisan pembungkusan baharu

IT House sebelum ini melaporkan bahawa Encik Hwang Sang-jun, naib presiden Samsung Electronics dan ketua pasukan produk dan teknologi DRAM, mendedahkan bahawa Samsung telah membangunkan HBM3E dengan kelajuan 9.8Gbps dan merancang untuk mula menyediakan sampel kepada pelanggan.

Samsung bekerja keras untuk membangunkan teknologi HBM4 dan merancang untuk melancarkannya pada 2025. Difahamkan bahawa Samsung Electronics sedang giat menyelidik pelbagai teknologi untuk HBM4, termasuk teknologi pemasangan filem bukan konduktif (NCF) yang dioptimumkan untuk ciri terma suhu tinggi dan ikatan hibrid (HCB)

Micron juga sedang giat membuat persiapan untuk pengeluaran HBM dan membuka kilang baharu di Taichung pada 6 November. Micron berkata kemudahan baharu itu akan menyepadukan ujian lanjutan dan keupayaan pembungkusan dan akan dikhususkan untuk pengeluaran besar-besaran HBM3E dan produk lain. Pengembangan ini direka untuk memenuhi keperluan yang semakin meningkat bagi pelbagai aplikasi seperti kecerdasan buatan, pusat data, pengkomputeran tepi dan perkhidmatan awan.

Ketua Pegawai Eksekutif Micron Sanjay Mehrotra mendedahkan bahawa syarikat itu merancang untuk memulakan penghantaran HBM3E dalam kuantiti yang banyak pada awal 2024. Teknologi HBM3E Micron kini sedang menjalani pensijilan oleh NVIDIA. Produk HBM3E awal akan menampilkan reka bentuk tindanan 8-Hi dengan kapasiti 24GB dan lebar jalur melebihi 1.2TB/s.

Selain itu, Micron merancang untuk melancarkan tindanan HBM3E 36GB 12-Hi yang lebih besar pada tahun 2024. Dalam satu kenyataan sebelum ini, Micron telah menjangkakan teknologi HBM baharu akan menyumbang hasil "ratusan juta dolar" menjelang 2024.

Atas ialah kandungan terperinci Merebut gelombang kecerdasan buatan, Samsung dan Micron meningkatkan perancangan pelan pengembangan HBM. Untuk maklumat lanjut, sila ikut artikel berkaitan lain di laman web China PHP!